シリコンオンインシュレータ（SOI）ゲートドライバIC

Infineon シリコンオンインシュレータ（SOI）ゲートドライバICは、IGBTおよびMOSFET用のレベルシフト高電圧ゲートドライバーICです。SOIテクノロジーは、独自の測定可能なベストインクラスの利点を実現している高電圧レベルシフトテクノロジーです。これらには、統合ブートストラップダイオード（BSD）およびベストインクラスの堅牢性があり、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは、組み込まれている二酸化ケイ素によって絶縁されており、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが不要になります。このテクノロジーは、レベルシフトの電力損失を下げることもでき、デバイスのスイッチング電力散逸を最小限に抑えます。この先進的なプロセスにより、技術的に強化された利点を実現するとともに、高電圧および低電圧回路をモノリシック構造にすることが可能になります。