疑似SRAM/CellularRAM

ISSI 疑似SRAM/CellularRAMデバイスは、DRAMとSRAMの両方の優れた機能を備えています。ISSI PSRAM/CellularRAMは、SRAMに似たアーキテクチャをしています。DRAMとは異なり、物理的リフレッシュを必要としない隠されたリフレッシュ機能があります。CellularRAMデバイスは、CellularRAM規格に準拠して設計され、CRAM 1.5とCRAM 2.0があります。

半導体のタイプ

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結果: 51
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 3,920在庫
カットテープ
¥1,646.1
¥1,531.4
¥1,484.9
¥1,448.4
¥1,413.5
リール
¥1,413.5
最低: 1
複数: 1
: 2,500
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 86在庫
¥941.8
¥903.6
¥812.2
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 369在庫
¥1,262.4
¥1,174.3
¥1,139.4
¥1,086.3
¥1,059.7
最低: 1
複数: 1
ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM 514在庫
¥1,406.9
¥1,310.5
¥1,270.7
¥1,212.5
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 755在庫
¥961.7
¥896.9
¥870.4
¥848.8
¥820.5
最低: 1
複数: 1
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480在庫
¥1,119.5
¥1,043.1
¥1,011.5
¥988.3
最低: 1
複数: 1
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v 1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480在庫
¥1,293.9
¥1,204.2
¥1,167.7
¥1,139.4
最低: 1
複数: 1
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V 1.95V, VDDQ 1.7V 1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310在庫
¥1,951.7
¥1,813.8
¥1,757.3
¥1,715.8
¥1,639.4
最低: 1
複数: 1
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns 215在庫
¥1,207.5
¥1,124.5
¥1,089.6
¥1,064.7
¥1,038.1
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 885在庫
¥1,174.3
¥1,092.9
¥1,059.7
¥1,011.5
¥988.3
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 631在庫
¥903.6
¥843.8
¥818.9
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 755在庫
¥903.6
¥843.8
¥818.9
¥798.9
¥780.7
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450在庫
¥877
¥818.9
¥794
¥775.7
¥757.4
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 1,657在庫
¥903.6
¥843.8
¥818.9
¥798.9
¥780.7
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 865在庫
800予想2026/10/09
¥855.4
¥797.3
¥774
¥755.8
¥735.8
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 130在庫
¥818.9
¥764.1
¥740.8
¥724.2
¥705.9
最低: 1
複数: 1
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 134在庫
¥950.1
¥887
¥860.4
¥840.5
¥818.9
最低: 1
複数: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v 3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 496在庫
カットテープ
¥1,199.2
¥1,116.2
¥1,083
¥1,033.1
¥1,008.2
リール
¥1,008.2
最低: 1
複数: 1
: 1,000
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 380在庫
¥1,018.2
¥948.4
¥920.2
¥898.6
最低: 1
複数: 1
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 2,259在庫
カットテープ
¥1,310.5
¥1,219.2
¥1,182.6
¥1,127.8
¥1,101.2
リール
¥1,101.2
最低: 1
複数: 1
: 2,500
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1,820在庫
2,835予想2026/11/02
¥1,018.2
¥948.4
¥920.2
¥898.6
¥868.7
最低: 1
複数: 1
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 1在庫
2,880取寄中
¥1,149.4
¥1,071.3
¥1,039.8
¥1,014.9
¥990
最低: 1
複数: 1
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 202在庫
¥1,488.3
¥1,383.6
¥1,342.1
最低: 1
複数: 1
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V 3.6V, VDDQ 2.7V 3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 30在庫
2,500取寄中
カットテープ
¥1,333.8
¥1,242.4
¥1,204.2
¥1,149.4
¥1,121.2
リール
¥1,121.2
最低: 1
複数: 1
: 2,500
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8 1在庫
100予想2027/03/23
¥961.7
¥896.9
¥870.4
¥850.4
¥828.8
最低: 1
複数: 1