CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFETは、パワーエレクトロニクス・アプリケーション向けの高性能ソリューションを提供します。これらのMOSFETは優れた電気特性を持ち、スイッチング損失が非常に低いため、効率的な動作が可能です。1200V G2 MOSFETは、過負荷状態に対応するよう設計されており、200°Cまでの動作をサポートし、最大2µsの短回路に耐えることができます。これらのデバイスは、4.2Vの基準ゲート閾値電圧 VGS(th) を特徴としており、正確な制御を保証します。CoolSiC MOSFET 1200V G2は、第1世代の技術が持つ強みを活かした3種類のパッケージから入手可能で、よりコスト最適化、効率化、小型化された、設計が容易で信頼性の高いシステムのための先進的なソリューションを提供します。第2世代は、ハード / ソフトスイッチングトポロジーの主要な性能指標を大幅に向上させ、DC-DC、AC-DC、DC-ACステージの一般的な組み合わせに適しています。

結果: 45
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 7在庫
3,750取寄中
カットテープ
¥5,547.7
¥4,441.5
¥3,840.2
¥3,395.1
リール
¥3,395.1
最低: 1
複数: 1
: 750
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 176在庫
¥3,023
¥1,767.3
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 73 nC - 40 C + 175 C 356 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 215在庫
¥2,174.2
¥1,205.9
¥1,152.7
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 171 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology 398在庫
720予想2026/12/17
¥7,027.7
¥5,992.9
¥4,944.8
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO247-4-U07 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode 172在庫
¥2,177.6
¥1,207.5
¥1,121.2
¥996.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 44 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 37 nC - 40 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 1,212在庫
3,000取寄中
カットテープ
¥6,921.4
¥5,903.2
¥4,870.1
リール
¥4,870.1
最低: 1
複数: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22 1.2 kV 257 A 7.5 mOhms 4.2 V - 55 C + 175 C 1.172 kW CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling 1,443在庫
カットテープ
¥3,317
¥2,102.8
¥1,963.3
リール
¥1,963.3
最低: 1
複数: 1
: 750
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 556在庫
カットテープ
¥7,353.2
¥5,737.1
¥5,356.7
リール
¥5,356.7
最低: 1
複数: 1
: 750
1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,690在庫
カットテープ
¥2,433.4
¥1,410.2
¥1,383.6
リール
¥1,317.2
最低: 1
複数: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 82 A 67 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 63.4 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1,081在庫
750予想2027/05/13
カットテープ
¥2,061.3
¥1,491.6
¥1,242.4
¥1,107.9
リール
¥1,034.8
最低: 1
複数: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 64 A 89 mOhms - 10 V, + 25 C 5.1 V 48.7 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 911在庫
カットテープ
¥1,916.8
¥1,073
¥1,033.1
¥965
リール
¥965
最低: 1
複数: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 56 A 104 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 42.4 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 316在庫
750予想2026/11/05
カットテープ
¥1,609.5
¥885.3
¥822.2
¥767.4
リール
¥767.4
最低: 1
複数: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 43 A 138 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 32.8 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 2,294在庫
カットテープ
¥1,413.5
¥767.4
¥704.3
¥689.3
リール
¥646.1
最低: 1
複数: 1
: 750
SMD/SMT PG-HDSOP-22-U03 1 Channel 1.2 kV 31 A 205 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 23.2 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 672在庫
カットテープ
¥4,052.8
¥2,715.7
¥2,536.3
リール
¥2,536.3
最低: 1
複数: 1
: 750
1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology 450在庫
カットテープ
¥3,300.4
¥2,464.9
¥2,131.1
¥2,018.1
リール
¥1,885.2
最低: 1
複数: 1
: 750
1.2 kV
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 267在庫
¥3,160.9
¥2,408.5
¥2,006.5
¥1,787.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 80 A 29 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 238在庫
¥2,066.3
¥1,494.9
¥1,245.8
¥1,107.9
¥1,036.5
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 48 A 51 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 1,428在庫
¥1,715.8
¥933.5
¥862.1
¥860.4
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 38 A 69 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,600在庫
1,000予想2026/10/15
カットテープ
¥6,418.1
¥5,237.1
¥4,627.5
¥4,601
リール
¥4,320.3
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,083在庫
カットテープ
¥4,614.3
¥3,187.5
¥3,179.2
¥3,004.7
リール
¥2,803.8
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 28在庫
480取寄中
¥3,562.8
¥2,660.9
¥2,300.5
¥2,034.7
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 97 A 23 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 44在庫
240予想2026/11/03
¥2,627.7
¥2,001.5
¥1,667.6
¥1,484.9
¥1,388.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 69 A 34 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 78在庫
240予想2027/02/11
¥2,139.4
¥1,594.6
¥1,328.8
¥1,182.6
¥1,106.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole PG-TO247-4-U02 1 Channel 1.2 kV 55 A 45 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245在庫
カットテープ
¥2,958.2
¥2,254
¥1,878.6
¥1,674.3
リール
¥1,563
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,603在庫
カットテープ
¥2,247.3
¥1,372
¥1,345.4
リール
¥1,280.6
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement