NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFET
onsemi NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFETは、既存のSi技術に比べてより高電圧の動作、幅広い温度範囲、スイッチング周波数の向上を実現します。これらのMOSFETは、低実効出力容量および超低ゲート電荷によって、より低いスイッチング損失とより高いスイッチング速度能力を実現します。NVT201xN0 M2 SiC Nチャンネル MOSFETは、100% UIS試験済みで、AEC-Q101認定を取得しています。
onsemi NVT201xN0 M2 SiC Nチャネル MOSFETは、既存のSi技術に比べてより高電圧の動作、幅広い温度範囲、スイッチング周波数の向上を実現します。これらのMOSFETは、低実効出力容量および超低ゲート電荷によって、より低いスイッチング損失とより高いスイッチング速度能力を実現します。NVT201xN0 M2 SiC Nチャンネル MOSFETは、100% UIS試験済みで、AEC-Q101認定を取得しています。