SiC MOSFET – Mouser 日本

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車載グレード・シリコンカーバイド・パワーMOSFET

STMicroelectronics 車載グレード・シリコン・カーバイド・パワーMOSFET は、STの高度で革新的な第2/第3世代 SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、1ユニット領域あたりのオン抵抗および非常に優れたスイッチング性能が特徴です。MOSFETは、非常に高い動作温度能力(TJ = 200°C) 、非常に高速で堅牢な真性ボディダイオードが特徴です。

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結果: 18

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最高動作温度

Pd - 電力損失

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画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	認証
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package SCT020HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,780.4 32在庫 1,200予想2027/02/19 新製品	メーカ部品番号 SCT020HU120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT020HU120G3AG 新製品	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	32在庫 1,200予想2027/02/19	カットテープ ¥3,780.4 ¥2,596.1 ¥2,385.2 リール ¥2,159.3 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C		555 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package SCT012W90G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥3,953.2 570在庫	メーカ部品番号 SCT012W90G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT012W90G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	570在庫	¥3,953.2 ¥2,348.7 見積り見積り	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	900 V	110 A	15.8 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	138 nC	- 55 C	+ 200 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package SCT015W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥4,406.6 524在庫	メーカ部品番号 SCT015W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT015W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	524在庫	¥4,406.6 ¥2,755.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	15 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	167 nC	- 55 C	+ 200 C	673 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package SCT020W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥3,360.2 246在庫 600予想2027/07/23	メーカ部品番号 SCT020W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT020W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	246在庫 600予想2027/07/23	¥3,360.2 ¥2,023.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	Hip247-4	1 Channel	1.2 kV	100 A	28 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	121 nC	- 55 C	+ 200 C	541 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package SCT040H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,263.9 949在庫	メーカ部品番号 SCT040H120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	949在庫	カットテープ ¥2,263.9 ¥1,287.3 ¥1,284 リール ¥1,214.2	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package SCT025W120G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥3,504.7 13在庫 1,200取寄中	メーカ部品番号 SCT025W120G3-4AG Mouser 部品番号 511-SCT025W120G3-4AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	13在庫 1,200取寄中注文の出荷日メーカ番号： SCT025W120G3-4AG 在庫： 13 すぐに出荷可能取寄中: 600 予想2027/04/30 600 予想2027/06/11 工場リードタイム： 36 週間	¥3,504.7 ¥2,418.4 ¥2,207.5 ¥2,029.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package SCT025W120G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,147.6 42在庫 600予想2027/05/07	メーカ部品番号 SCT025W120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT025W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	42在庫 600予想2027/05/07	¥3,147.6 ¥1,958.3 ¥1,837.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	388 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package SCT040W120G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,307.1 18在庫 600予想2027/05/14	メーカ部品番号 SCT040W120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040W120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	18在庫 600予想2027/05/14	¥2,307.1 ¥1,621.1 ¥1,237.4	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H SCTW40N120G2VAG STMicroelectronics 1: ¥3,350.2 5在庫 600予想2027/02/19	メーカ部品番号 SCTW40N120G2VAG Mouser 部品番号 511-SCTW40N120G2VAG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	5在庫 600予想2027/02/19	¥3,350.2 ¥1,793.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	100 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.9 V	61 nC	- 55 C	+ 200 C	278 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package SCT011HU75G3AG STMicroelectronics 1: ¥4,562.8 1,200予想2027/06/25 新製品	メーカ部品番号 SCT011HU75G3AG Mouser 部品番号 511-SCT011HU75G3AG 新製品	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,200予想2027/06/25	カットテープ ¥4,562.8 ¥3,428.3 ¥3,147.6 リール ¥2,890.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	750 V	110 A	15 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.2 V	154 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package SCT016H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥4,285.4 1,985取寄中新製品	メーカ部品番号 SCT016H120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT016H120G3AG 新製品	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,985取寄中注文の出荷日メーカ番号： SCT016H120G3AG 在庫： 0 取寄中: 985 予想2027/02/19 1,000 予想2027/04/30 工場リードタイム： 25 週間	カットテープ ¥4,285.4 ¥2,938.3 ¥2,860.2 リール ¥2,647.6 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	112 A	22 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	150 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package SCT025H120G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,049.6 1,997予想2027/09/03	メーカ部品番号 SCT025H120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT025H120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,997予想2027/09/03	カットテープ ¥3,049.6 ¥1,888.6 ¥1,878.6 リール ¥1,787.2	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	55 A	37 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package SCT012H90G3AG STMicroelectronics 1: ¥3,875.1 998予想2027/01/29	メーカ部品番号 SCT012H90G3AG Mouser 部品番号 511-SCT012H90G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	998予想2027/01/29	カットテープ ¥3,875.1 ¥2,524.7 ¥2,519.7 ¥2,370.2 リール ¥2,254	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	900 V	110 A	12 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	138 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package SCT040HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,739 1,200予想2027/03/12 新製品	メーカ部品番号 SCT040HU120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040HU120G3AG 新製品	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,200予想2027/03/12	カットテープ ¥2,739 ¥1,754 ¥1,541.4 リール ¥1,310.5 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	40 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	54 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A SCT040HU65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,268.9 600予想2027/09/24	メーカ部品番号 SCT040HU65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT040HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	600予想2027/09/24	カットテープ ¥2,268.9 ¥1,729.1 ¥1,440.1 リール ¥1,284 ¥1,214.2 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	650 V	7 A	40 mOhms	- 30 V, + 30 V	5 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	266 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A SCT055HU65G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,247.3 1,800取寄中	メーカ部品番号 SCT055HU65G3AG Mouser 部品番号 511-SCT055HU65G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	1,800取寄中注文の出荷日メーカ番号： SCT055HU65G3AG 在庫： 0 取寄中: 600 予想2027/02/12 1,200 予想2027/02/19 工場リードタイム： 36 週間	カットテープ ¥2,247.3 ¥1,451.7 ¥1,323.8 リール ¥1,202.6 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	650 V	30 A	72 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.2 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	185 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package SCT070HU120G3AG STMicroelectronics 1: ¥2,436.7 599予想2026/11/11	メーカ部品番号 SCT070HU120G3AG Mouser 部品番号 511-SCT070HU120G3AG	STMicroelectronics	SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet についての詳細を表示	データシート	599予想2026/11/11	カットテープ ¥2,436.7 ¥1,672.6 ¥1,473.3 リール ¥1,328.8	最低： 1 複数： 1 : 600	SMD/SMT	HU3PAK-7	1 Channel	1.2 kV	30 A	87 mOhms	- 18 V, + 18 V	4.2 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	223 W	Enhancement	AEC-Q101
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package SCT040W120G3-4 STMicroelectronics 1: ¥2,229.1 100取寄中	メーカ部品番号 SCT040W120G3-4 Mouser 部品番号 511-SCT040W120G3-4	STMicroelectronics	SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package STMicroelectronics stm automotive grade mosfets についての詳細を表示	データシート	100取寄中	¥2,229.1 ¥1,468.3 ¥1,287.3 ¥1,097.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	HiP247-4	1 Channel	1.2 kV	40 A	54 mOhms	- 10 V, + 22 V	3.1 V	56 nC	- 55 C	+ 200 C	312 W	Enhancement	AEC-Q101

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