EMD4DXV6 デジタルトランジスタ (BRT)

オンセミ (onsemi)EMD4DXV6デジタルトランジスタ(BRT) は、単一のデバイスとその外部抵抗器バイアスネットワーク置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ（BRT）は、単一のトランジスタと、直列ベース抵抗器およびベース–エミッタ抵抗器から構成されるモノリシックなバイアスネットワークを統合しています。これらの BRT は、これらの個別部品を単一デバイスに統合することで不要にしています。EMD4DXV6トランジスタは、コレクタ-ベース間電圧50V_DC、コレクタ-エミッタ間電圧50V_DC、および100mA_DCコレクタ電流を備えています。これらのトランジスタは、−55 °C から +150 °C のジャンクション温度および保存温度範囲に対応しています。