NTTFS012N10MDTAG

Name: onsemi NTTFS012N10MDTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS012N10MDTAG
Price: 421 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTTFS012N10MDTAG

メーカ番号：

NTTFS012N10MDTAG

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

データシート:

NTTFS012N10MDTAG データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

onsemi NTTFS012N10MDTAGの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	WDFN-8
トレードネーム:	PowerTrench
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	NTTFS012N10MD
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

NTTFS012N10MDTAG データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

PowerTrench技術

Onsemi PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。

NTTFS012N10MD NチャンネルMOSFET

Onsemi NTTFS012N10MD NチャンネルMOSFETは、シールドゲートテクノロジーが組み込まれている高度PowerTrench^® プロセスを使用して設計されています。このプロセスは、オン状態抵抗R_{DS (on)} を最小限に抑えるように最適化されており、導通損失を最小限に抑えながらも優れたスイッチング性能を維持できます。NTTFS012N10MD MOSFETは、ドライバ損失を最小限に抑える低Q_G と静電容量、低Q_RR 、ソフトリカバリボディダイオード、軽負荷効率を向上させる低Q_OSS が特徴です。代表的なアプリケーションには、絶縁DC/DCコンバータでの一次スイッチ、AC/DCアダプタ、DC/DCおよびAC/DCでの同期整流、BLDCモータ、負荷スイッチ、ソーラーインバータがあります。