CoolGaN™ 600V GIT HEMT

Infineon Technologies CoolGaN™ 600Vゲート注入技術（GIT）高電子移動度トランジスタ（HEMT）には、最小のスイッチング損失での高速ターンオンとターンオフ速度が備わっています。これらの GaN エンハンスメント モード電力 トランジスタは、ThinPAK 5x6 表面実装パッケージで提供され、ヒートシンクのないコンパクトなデバイスを必要とするアプリケーションに最適です。Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT HEMT は、5mm x 6mm² の小さなフットプリントと 1mm の低いプロファイル高さにより、高電力密度の実現に最適です。