G3VH SiC MOSFETリレー

オムロン (Omron)のG3VH SiC MOSFETリレーは、SiC MOSFETテクノロジーに基づく高耐圧MOSFETリレーでありであり、1000V以上の電圧でのスイッチングを可能にします。これらのリレーは、最大1800Vまたは3300Vの負荷電圧に対応しつつ、低オン抵抗により効率的な動作を実現します。G3VHリレーは、ノーマルオープン(1a/SPST-NO)の接点構成を備えたコンパクトな6ピンDIPパッケージで設計されています。これらの G3VH SiC MOSFET リレーは、50mA の入力順電流、入力と出力間で最大 5000V rmsの高い絶縁性能、そして高速なスイッチング性能を備えています。代表的なアプリケーションには、高電圧スイッチングが必要とされる半導体テスト装置やバッテリ管理システム(BMS)が含まれます。

結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ化 取り付け様式 定格負荷電圧 リレー接点構成 パッケージ/ケース 出力タイプ 最低動作温度 最高動作温度 長さ 幅 高さ シリーズ
Aratas ソリッドステートリレー:PCBマウント 1800 V 30 mA SiC MOSFET 100在庫
¥9,723.5
¥8,663.8
¥8,273.4
¥7,981.1
最低: 1
複数: 1
PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Aratas ソリッドステートリレー:PCBマウント 1800 V 30 mA SiC MOSFET 100在庫
¥9,753.4
¥8,692
¥8,298.4
¥8,007.7
最低: 1
複数: 1
PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Aratas ソリッドステートリレー:PCBマウント 3300 V 300 mA SiC MOSFET 97在庫
¥10,959.3
¥9,778.3
¥9,336.5
¥9,014.2
最低: 1
複数: 1
PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Aratas ソリッドステートリレー:PCBマウント 3300 V 300 mA SiC MOSFET 97在庫
¥10,994.2
¥9,808.2
¥9,364.7
¥9,042.5
¥8,711.9
最低: 1
複数: 1
PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Aratas ソリッドステートリレー:PCBマウント 1800V 30 mA SiC MOSFET 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,026.2
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
Reel PCB Mount 1.8 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH
Aratas ソリッドステートリレー:PCBマウント 3300V 300 mA SiC MOSFET 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,740.4
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
Reel PCB Mount 2.64 kV 1 Form A (SPST-NO) DIP-6 MOSFET - 20 C + 85 C 8.8 mm (0.346 in) 6.4 mm (0.252 in) 3.4 mm (0.134 in) G3VH