NTBG014N120M3P

onsemi
863-NTBG014N120M3P
NTBG014N120M3P

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
104 A
20 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.63 V
337 nC
- 55 C
+ 175 C
454 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 14 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 29 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 40 ns
シリーズ: NTBG014N120M3P
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ極性: N-Channel
標準電源切断遅延時間: 74 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 24 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

M3P EliteSiC MOSFET

onsemi M3P EliteSiC MOSFET は、最大定格電圧1,200Vの高電圧アプリケーション向けソリューションです。onsemi M3P MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LDのパッケージで提供されます。/MOSFETはさまざまな設計要件に対応する汎用性を備えています。+ 22V/-10Vの最大ゲート－ソース電圧が備わっているEliteSiC MOSFETは、Coss、Ciss、Crssをはじめとする寄生容量の改善を促進します。

NTBG014N120M3Pシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Onsemi  NTBG014N120M3P シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、1,200V M3P プラナSiC MOSFETファミリの一部です。Onsemi MOSFETは、パワーアプリケーション向けに最適化されています。プラナ技術は、負のゲート電圧ドライブで確実に作動し、ゲートのスパイクをオフにします。このファミリには、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能がありますが、15Vゲートドライブとの併用にも優れています。

在庫: 870

在庫：
870 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
24 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥5,265.4 ¥5,265
¥3,782.1 ¥37,821
¥3,089.5 ¥1,544,750
完全リール（800の倍数で注文）
¥3,087.8 ¥2,470,240

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