GaN FET – Mouser 日本

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

結果: 2

適用されたフィルタ:

トランジスタ極性

チャンネル数

Vgs - ゲート-ソース間電圧

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

選択	画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	RoHS	ECADモデル	取り付け様式	パッケージ/ケース	トランジスタ極性	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Vgs - ゲート-ソース間電圧	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	最高動作周波数	最小動作周波数	技術
	GaN FET 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V TGF2965-SM Qorvo 1: ¥10,598.8 722在庫	メーカ部品番号 TGF2965-SM Mouser 部品番号 772-TGF2965-SM	Qorvo	GaN FET 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V Qorvo tgf2965 sm transistor についての詳細を表示	データシート	722在庫	¥10,598.8 ¥10,494.2 ¥8,119	最低： 1 複数： 1			SMD/SMT	QFN-16	P-Channel		32 V	600 mA				7.5 W	3 GHz	30 MHz	GaN
	GaN FET .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT TGF2965-SMTR13 Qorvo 2,500: ¥8,408 非在庫リードタイム 12 週間	メーカ部品番号 TGF2965-SMTR13 Mouser 部品番号 772-TGF2965-SMTR13	Qorvo	GaN FET .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT	データシート	非在庫リードタイム 12 週間	リール ¥8,408	最低： 2,500 複数： 2,500 : 2,500			SMD/SMT	QFN-16	N-Channel	1 Channel	32 V	600 mA	- 7 V, + 2 V	- 40 C	+ 85 C	7.5 W			GaN-on-SiC

TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

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