MXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFET

ビシェイ (Vishay) SemiconductorsのMXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFETは、ドレイン-ソース間電圧750V、高速スイッチング、および3μsの短絡耐量時間を特長としています。これらのMOSFETsは最大電力損失208W（Tc = 25°C時）および連続連続ドレイン電流51A（Tc = 25°C時）にも対応しています。MXP075 MaxSiC 750V NチャネルMOSFETはハロゲンフリーで、TO-247AD 4Lパッケージで提供されます。本MOSFETは、充電器、補助モータドライブ、DC/DCコンバータなどの設計に最適です。

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
データシート
600予想2027/04/14
¥2,177.6
¥1,234.1
¥1,142.8
¥996.6
最低： 1
複数： 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
データシート
600予想2027/04/14
¥2,260.6
¥1,285.6
¥1,190.9
¥1,046.4
最低： 1
複数： 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement