結果: 40
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 248在庫
¥2,655.9
¥1,504.9
¥1,496.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 165在庫
¥2,142.7
¥1,406.9
¥1,305.5
¥1,159.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds 211在庫
90予想2026/12/15
¥1,973.3
¥1,270.7
¥1,171
¥1,039.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds 274在庫
¥2,880.2
¥1,662.7
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds 549在庫
¥774
¥398.6
¥360.4
¥295.7
¥294
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO268 1.5KV 12A N-CH HIVOLT 261在庫
¥11,715
¥9,245.1
¥8,986
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2.2 Ohms 30 V 2.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 1 157在庫
¥3,880.1
¥2,838.6
¥2,694.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 16 A 950 mOhms 30 V 3.5 V 120 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 0.5 Amps 1000V 300在庫
¥998.3
¥524.9
¥460.1
¥413.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 700 mA 15 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 2,247在庫
¥1,144.4
¥609.6
¥607.9
¥556.4
¥495
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 2.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds 962在庫
1,550予想2027/03/02
¥1,704.2
¥1,033.1
¥951.8
¥936.8
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT 192在庫
300予想2026/11/25
¥2,644.3
¥1,539.7
¥1,428.5
¥1,401.9
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET 275在庫
¥3,606
¥2,438.3
¥2,107.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200 629在庫
¥1,785.6
¥1,104.6
¥1,019.9
¥936.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1500V High Voltage Power MOSFET 310在庫
¥3,513
¥2,144.4
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 2 Ohms 30 V 4.5 V 106 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 1500 V High Voltage Power MOSFET 295在庫
300予想2027/03/23
¥5,758.7
¥4,205.7
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms 30 V 4.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT 14在庫
350予想2027/02/09
¥1,865.3
¥1,066.4
¥983.3
¥906.9
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET TO263 150V 4A N-CH HIVOLT 83在庫
¥2,692.5
¥1,558
¥1,523.1
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 6 Ohms 30 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 1在庫
¥3,082.8
¥1,764
¥1,661
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 7.3 Ohms 30 V 2.5 V 38.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds 96在庫
¥1,662.7
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.4 Ohms 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds 300在庫
¥691
¥360.4
¥323.9
¥277.4
¥275.7
最低: 1
複数: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 100 mA 80 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds 800工場在庫あり
¥524.9
最低: 300
複数: 50
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 750 mA 17 Ohms 30 V 4.5 V 7.8 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET HIGH VOLT PWR MOSFET 1500V 6A 非在庫リードタイム 32 週間
¥2,793.8
¥1,828.8
¥1,496.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 6 A 3.5 Ohms 20 V 5 V 67 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET High Voltage Power MOSFET 非在庫リードタイム 24 週間
¥1,989.9
¥1,966.6
最低: 300
複数: 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 3 A 3.85 Ohms 30 V 2.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET 非在庫リードタイム 24 週間
¥10,909.4
¥9,477.7
¥8,343.2
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.5 kV 20 A 1 Ohms Tube
IXYS MOSFET 2 Amps 800V 6.2 Rds 在庫なし
¥456.8
¥338.8
¥284
¥264.1
¥247.5
最低: 50
複数: 50
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 6.2 Ohms 20 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube