LMG3100R0x ドライバ内蔵GaN FET
Texas Instruments LMG3100R0x ドライバ内蔵窒化ガリウム（GaN）FETは、ハイサイドのレベルシフタとブートストラップ回路を備えた1.7mΩ GaN FETおよびドライバです。外部レベルシフタなしで、2つのLMG3100デバイスを使用してハーフブリッジを形成できます。窒化ガリウムFETおよびドライバには、電源電圧低下時の誤動作を防ぐ低電圧ロックアウト（UVLO）保護機能を内蔵しています。また、オーバードライブ電圧（>5.4V超）を防ぐための内部ブートストラップ電源電圧クランプ機能も備えています。Texas Instruments LMG3100R0xは、低消費電力と改良されたユーザーインターフェイスを提供します。LMG3100R017は、昇降圧コンバータ、LLCコンバータ、ソーラーインバータ、テレコム、モータドライブ、電動工具、クラスDオーディオアンプなどの高周波数、高効率アプリケーションに理想的なソリューションです。
