RY7P250BMTBC

ROHM Semiconductor
755-RY7P250BMTBC
RY7P250BMTBC

メーカ:

詳細:
MOSFET DFN8080 100V 300A N CHAN

ライフサイクル:
新製品:
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ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
Si
SMD/SMT
DFN8080-8
N-Channel
1 Channel
100 V
300 A
1.86 mOhms
20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
340 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 200 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 27 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 90 ns
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 195 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 72 ns
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選択した属性: 0

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
タイ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

電気自動車(EV)ソリューション

ROHM Semiconductor電気自動車(EV)ソリューションは、最先端の電気自動車(EV)における効率性と性能の向上に貢献できるように設計されています。ROHMは、メインインバータ、DC-DCコンバータ、オンボード充電器、電動コンプレッサなどの専用EVブロックに注目した、さまざまなソリューションを対象に最適化された製品を提供しています。

RY7P250BMパワーMOSFET

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor)RY7P250BMパワーMOSFETは、1.86mΩ(最大)の低オン抵抗で設計され、DFN8080ハイパワーパッケージに搭載されています。本パワーMOSFETは、100Vのドレイン・ソース間電圧(VDSS)、±300Aのドレイン電流(ID)、および340Wの電力損失(PD)を特徴としています。RY7P250BM MOSFETは広い安全動作領域(SOA)を備えており、より高い電圧や電流に対して損傷なく耐えることができ、堅牢性と信頼性を高めます。ROHM RY7P250BM MOSFETは、ホットスワップコントローラ(HSC)アプリケーションに適しています。

在庫状況

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予想2026/11/23
工場リードタイム:
28
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(2500の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,538.1 ¥1,538
¥971.7 ¥9,717
¥807.2 ¥80,720
¥764.1 ¥382,050
¥737.5 ¥737,500
完全リール(2500の倍数で注文)
¥697.6 ¥1,744,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩