QPD1000A GaN入力整合トランジスタ

Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタは、15W(P3dB)、50Ω入力整合ドディスクリートGaN-on-SiC HEMTで、28V電源レール上で30MHz~1,215MHzで動作します。統合された入力整合ングネットワークにより、広帯域にわたる利得と電力性能が実現します。また出力はボード上でマッチングされるため、帯域内の任意の領域で電力と効率を最適化できます。ベースステーション、レーダー、通信アプリケーションに最適で、CWモードとパルスモードの両方の動作をサポートします。QorvoQPD1000Aは、業界標準の6mmx5mm表面実装 DFN パッケージに収められています。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル
Qorvo GaN FET 30 - 1215 MHz, 15 Watt, GaN RF Input-Matched Transistor
100予想2026/12/18
カットテープ
¥13,763
¥11,457.6
¥10,972.6
リール
¥10,568.9
最低: 1
複数: 1
: 100
Qorvo GaN FET 30 - 1215 MHz, 15 Watt, GaN RF Input-Matched Transistor 非在庫リードタイム 12 週間
リール
¥11,816.4
最低: 750
複数: 750
: 750