600V第4世代PrestoMOS™スーパージャンクションMOSFET

ROHM Semiconductor 600V第4世代PrestoMOS™ Super Junction MOSFET は、独自の特許技術を利用して寄生ダイオードを加速し、超高速の逆回復特性を達成して 低消費電力を実現します。 PrestoMOS設計により、 IGBT実装と比較した場合、軽負荷で約58%の電力損失が発生します。さらに、MOSFETをオンにするために必要となる基準電圧の上昇を実施すると、損失の主な一因であるセルフターンオンを回避できます。最適化された内蔵寄生ダイオードは、SuperJunction MOSFET特有のソフトリカバリ指数を改善し、誤動作につながるノイズを低減します。