SiC MOSFET – Mouser 日本

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650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFET

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1トレンチパワーMOSFETは、シリコンカーバイドに固有の強い物理特性をさらに強化したことで、デバイスの性能、堅牢性、使い易さを改善する独自の特長を備えています。CoolSiC M1 MOSFETは、極めて高い動作時の信頼性と非常に低いアプリケーション損失を実現するように最適化された最先端トレンチ半導体プロセスを使って製造されています。高温や過酷環境下での動作に適しており、システムの複雑度およびコストの低減し、最高レベルの効率を実現できます。

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結果: 25

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取り付け様式

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Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

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画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	トレードネーム
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R057M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,561.3 1,995在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R057M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R057M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	1,995在庫	カットテープ ¥1,561.3 ¥908.6 ¥838.8 ¥785.7 リール ¥747.5 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	39 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	161 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,544.7 323在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R039M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R039M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	323在庫	¥1,544.7 ¥1,083 ¥1,014.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	50 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,034.8 1,000在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R163M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R163M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	1,000在庫	カットテープ ¥1,034.8 ¥546.5 ¥403.6 ¥402 リール ¥402 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	17 A	217 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	27 nC	- 55 C	+ 175 C	85 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R048M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,684.3 1,009在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R048M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R048M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	1,009在庫	カットテープ ¥1,684.3 ¥931.8 ¥873.7 ¥860.4 リール ¥827.2 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	45 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	183 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R072M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,234.1 861在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R072M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R072M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	861在庫	カットテープ ¥1,234.1 ¥775.7 ¥710.9 ¥669.4 リール ¥662.7 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	33 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥1,119.5 753在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R107M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R107M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	753在庫	カットテープ ¥1,119.5 ¥656.1 ¥598 ¥563.1 リール ¥539.8 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	24 A	141 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	110 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,428.4 1,701在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	1,701在庫	¥2,428.4 ¥1,460 ¥1,441.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,729.1 298在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	298在庫	¥1,729.1 ¥994.9 ¥921.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R022M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥3,026.3 143在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R022M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R022M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	143在庫	カットテープ ¥3,026.3 ¥1,868.6 ¥1,817.1 リール ¥1,769 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	64 A	30 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	67 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ¥848.8 654在庫 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R260M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R260M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	654在庫	カットテープ ¥848.8 ¥440.2 ¥400.3 ¥350.5 リール ¥330.5 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	6 A	346 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,322.2 314在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R072M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	314在庫	¥1,322.2 ¥759.1 ¥705.9 ¥679.3	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,257.4 453在庫 NRND	メーカ部品番号 IMW65R107M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	453在庫	¥1,257.4 ¥659.4 ¥606.3 ¥559.8	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,553 128在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R057M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R057M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	128在庫	¥1,553 ¥892 ¥795.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,787.2 39在庫 480予想2026/12/03 NRND	メーカ部品番号 IMW65R048M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	39在庫 480予想2026/12/03	¥1,787.2 ¥971.7 ¥898.6 ¥892	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,225.8 13在庫 720予想2026/11/30 NRND	メーカ部品番号 IMW65R083M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R083M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	13在庫 720予想2026/11/30	¥1,225.8 ¥775.7 ¥727.5 ¥666.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	24 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,642.7 17在庫 3,600取寄中 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	17在庫 3,600取寄中注文の出荷日メーカ番号： IMZA65R027M1HXKSA1 在庫： 17 すぐに出荷可能取寄中: 1,680 予想2026/11/26 1,920 予想2026/11/27 工場リードタイム： 52 週間	¥2,642.7 ¥1,496.6 ¥1,483.3 ¥1,481.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,445 175在庫 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R030M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	175在庫	¥2,445 ¥1,373.6 ¥1,342.1	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,406.8 960予想2027/01/07 NRND	メーカ部品番号 IMW65R030M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R030M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	960予想2027/01/07	¥2,406.8 ¥1,350.4 ¥1,298.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	58 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	197 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1,000: ¥1,214.2 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R030M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R030M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	リール ¥1,214.2	最低： 1,000 複数： 1,000 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	63 A	42 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	234 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R039M1HXTMA1 Infineon Technologies 1,000: ¥1,023.2 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R039M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R039M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	リール ¥1,023.2	最低： 1,000 複数： 1,000 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	54 A	51 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	211 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R083M1HXTMA1 Infineon Technologies 1,000: ¥644.5 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMBG65R083M1HXTMA1 Mouser 部品番号 726-IMBG65R083M1HXTM NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	リール ¥644.5	最低： 1,000 複数： 1,000 : 1,000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	28 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	126 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R039M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,941.7 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMW65R039M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R039M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	¥1,941.7 ¥1,064.7 ¥986.6 ¥981.7	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	46 A	50 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	41 nC	- 55 C	+ 175 C	176 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,675.9 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMW65R057M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMW65R057M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	¥1,675.9 ¥1,028.2 ¥853.8 ¥782.3	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	35 A	74 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	133 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: ¥709.2 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R072M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	¥709.2 ¥705.9	最低： 240 複数： 240	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R083M1HXKSA1 Infineon Technologies 240: ¥754.1 非在庫リードタイム 52 週間 NRND	メーカ部品番号 IMZA65R083M1HXKSA1 Mouser 部品番号 726-IMZA65R083M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 52 週間	¥754.1 ¥659.4	最低： 240 複数： 240	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	26 A	111 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	104 W	Enhancement