MOSFET – Mouser 日本

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在庫あり

RoHS

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結果: 6

適用されたフィルタ:

パッケージ/ケース

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs - ゲート-ソース間電圧

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

Pd - 電力損失

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選択	画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	RoHS	ECADモデル	技術	取り付け様式	パッケージ/ケース	トランジスタ極性	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	パッケージ化
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,524.8 268在庫 NRND	メーカ部品番号 IPW65R060CFD7XKSA1 Mouser 部品番号 726-IPW65R060CFD7SA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets についての詳細を表示	データシート	268在庫	¥1,524.8 ¥898.6 ¥757.4 ¥734.2 ¥691	最低： 1 複数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	3.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,657.7 250在庫	メーカ部品番号 IPP65R041CFD7XKSA1 Mouser 部品番号 726-IPP65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets についての詳細を表示	データシート	250在庫	¥1,657.7 ¥1,132.8 ¥935.1 ¥837.1 ¥787.3	最低： 1 複数： 1			Si	Through Hole		N-Channel	1 Channel	650 V	50 A	41 mOhms	20 V	4.5 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R041CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,815.5 284在庫 720取寄中	メーカ部品番号 IPW65R041CFD7XKSA1 Mouser 部品番号 726-IPW65R041CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets についての詳細を表示	データシート	284在庫 720取寄中	¥1,815.5 ¥988.3 ¥915.2 ¥910.2	最低： 1 複数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	68.5 A	41 mOhms	20 V	4 V	102 nC	- 55 C	+ 150 C	500 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPP65R060CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,347.1 41在庫 500予想2026/12/10	メーカ部品番号 IPP65R060CFD7XKSA1 Mouser 部品番号 726-IPP65R060CFD7SA1	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets についての詳細を表示	データシート	41在庫 500予想2026/12/10	¥1,347.1 ¥727.5 ¥667.7 ¥612.9	最低： 1 複数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	36 A	60 mOhms	10 V	4.5 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	171 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPW65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥1,978.3 90在庫	メーカ部品番号 IPW65R029CFD7XKSA1 Mouser 部品番号 726-IPW65R029CFD7XKS	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets についての詳細を表示	データシート	90在庫	¥1,978.3 ¥1,348.7 ¥1,313.9	最低： 1 複数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	700 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube
	MOSFET HIGH POWER_NEW IPZA65R029CFD7XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥2,501.5 151在庫	メーカ部品番号 IPZA65R029CFD7XKSA1 Mouser 部品番号 726-IPZA65R029CFD7XK	Infineon Technologies	MOSFET HIGH POWER_NEW Infineon Technologies infineon 650v cfd7 sj power mosfets についての詳細を表示	データシート	151在庫	¥2,501.5 ¥1,408.5 ¥1,383.6	最低： 1 複数： 1			Si	Through Hole	TO-247-4	N-Channel	1 Channel	650 V	69 A	29 mOhms	20 V	4.5 V	145 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W	Enhancement	Tube