NTMFD0D9N02P1E MOSFET

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション向けの低R_g設計を備えたデュアル NチャンネルMOSFETです。このMOSFETは、非対称なPOWERTRENCH^®パワークリップを採用しています。NTMFD0D9N02P1E MOSFETは、伝導損失を低減する低オン抵抗（RDS_（on））と、ドライバ損失を低減する低ゲート電荷（QG）および低容量特性を備えています。小型のフットプリント 5mm x 6mmコンパクト設計でご用意があMOSFETります。NTMFD0D9N02P1EMOSFETは鉛およびハロゲン/BFRフリーで、RoHSに準拠しています。イスラム代表的なアプリケーション教徒には、DCイスラムDC コンバータ教徒、システムの電圧レール、汎用ポイントオブロードのイスラム教徒が含まれます。