TLP4590A / TLP4590AFフォトリレー

Toshiba TLP4590AおよびTLP4590AFフォトリレーには、赤外発光ダイオードに光学的に結合されたフォトMOSFETが集積されています。これらのデバイスは、スペースを節約して信頼性を向上するために、アプリケーションでの機械リレーに取って代わるように設計されています。TLP4590AおよびTLP4590AFフォトリレーは、通常は閉（1-Form-B）で、0.6Ωの低オン状態抵抗が特徴です。これらのデバイスは、絶縁電圧5000Vrmsを提供しており、強化絶縁を必要とするデバイスにとって理想的です。