|
|
MOSFET Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
- RD3N01BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥304
-
2,490在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
755-RD3N01BATTL1
新製品
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
|
|
2,490在庫
|
|
|
¥304
|
|
|
¥194.3
|
|
|
¥129.4
|
|
|
¥102.2
|
|
|
¥83.5
|
|
|
表示
|
|
|
¥93.3
|
|
|
¥80.9
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET TO252 P-CH 80V 4.5A
- RD3N045ATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥270.7
-
2,380在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
755-RD3N045ATTL1
新製品
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET TO252 P-CH 80V 4.5A
|
|
2,380在庫
|
|
|
¥270.7
|
|
|
¥172.7
|
|
|
¥114.3
|
|
|
¥89.7
|
|
|
¥73.1
|
|
|
表示
|
|
|
¥81.7
|
|
|
¥69.4
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3P04BBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥340.5
-
2,174在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
755-RD3P04BBKHRBTL
新製品
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,174在庫
|
|
|
¥340.5
|
|
|
¥217.6
|
|
|
¥146.3
|
|
|
¥115.9
|
|
|
¥95.5
|
|
|
表示
|
|
|
¥106.3
|
|
|
¥94.5
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE240-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
¥584.7
-
2,488在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
771-GANE240-700BBAZ
新製品
|
Nexperia
|
GaN FET GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,488在庫
|
|
|
¥584.7
|
|
|
¥380.4
|
|
|
¥272.4
|
|
|
¥227.6
|
|
|
¥201
|
|
|
表示
|
|
|
¥215.9
|
|
|
¥191
|
|
|
¥189.4
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
LDO電圧レギュレータ Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
- TL720M05GQKVURQ1M3
- Texas Instruments
-
1:
¥504.9
-
2,426在庫
|
Mouser 部品番号
595-TL720M05GQKVUQ1M
|
Texas Instruments
|
LDO電圧レギュレータ Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
|
|
2,426在庫
|
|
|
¥504.9
|
|
|
¥378.7
|
|
|
¥347.1
|
|
|
¥310.6
|
|
|
表示
|
|
|
¥275.7
|
|
|
¥294
|
|
|
¥289
|
|
|
¥275.7
|
|
|
¥275.7
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 1,001
:
2,500
|
|
|
|
|
LDO電圧レギュレータ Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
- TL720M05QKVURQ1M3
- Texas Instruments
-
1:
¥504.9
-
2,479在庫
|
Mouser 部品番号
595-TL720M05QKVURQ1M
|
Texas Instruments
|
LDO電圧レギュレータ Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
|
|
2,479在庫
|
|
|
¥504.9
|
|
|
¥378.7
|
|
|
¥347.1
|
|
|
¥310.6
|
|
|
表示
|
|
|
¥275.7
|
|
|
¥294
|
|
|
¥289
|
|
|
¥275.7
|
|
|
¥275.7
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 1,001
:
2,500
|
|
|
|
|
SIC SCHOTTKYダイオード SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
- DSC08C065D1-13
- Diodes Incorporated
-
1:
¥403.6
-
2,495在庫
|
Mouser 部品番号
621-DSC08C065D1-13
|
Diodes Incorporated
|
SIC SCHOTTKYダイオード SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
|
|
2,495在庫
|
|
|
¥403.6
|
|
|
¥259.1
|
|
|
¥177.7
|
|
|
¥141.7
|
|
|
¥137.2
|
|
|
¥130.1
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SIC SCHOTTKYダイオード SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
- DSC10A065D1-13
- Diodes Incorporated
-
1:
¥598
-
2,229在庫
|
Mouser 部品番号
621-DSC10A065D1-13
|
Diodes Incorporated
|
SIC SCHOTTKYダイオード SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
|
|
2,229在庫
|
|
|
¥598
|
|
|
¥305.6
|
|
|
¥269.1
|
|
|
¥245.8
|
|
|
¥204.3
|
|
|
¥191
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
SIC SCHOTTKYダイオード 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
- BSDD08G65E2
- Bourns
-
1:
¥622.9
-
4,945在庫
|
Mouser 部品番号
652-BSDD08G65E2
|
Bourns
|
SIC SCHOTTKYダイオード 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
|
|
4,945在庫
|
|
|
¥622.9
|
|
|
¥406.9
|
|
|
¥285.7
|
|
|
¥232.5
|
|
|
表示
|
|
|
¥217.6
|
|
|
¥229.2
|
|
|
¥217.6
|
|
|
¥217.6
|
|
最低： 1
複数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
SIC SCHOTTKYダイオード RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
- BSDD10S65E6
- Bourns
-
1:
¥820.5
-
4,965在庫
|
Mouser 部品番号
652-BSDD10S65E6
|
Bourns
|
SIC SCHOTTKYダイオード RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
|
|
4,965在庫
|
|
|
¥820.5
|
|
|
¥543.1
|
|
|
¥385.4
|
|
|
¥330.5
|
|
|
¥312.3
|
|
|
¥312.3
|
|
最低： 1
複数： 1
:
5,000
|
|
|
|
|
バイポーラトランジスタ - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
- 2SAR587D3FRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥264.1
-
4,583在庫
|
Mouser 部品番号
755-2SAR587D3FRATL
|
ROHM Semiconductor
|
バイポーラトランジスタ - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
|
|
4,583在庫
|
|
|
¥264.1
|
|
|
¥167.8
|
|
|
¥110.8
|
|
|
¥86.9
|
|
|
¥79.1
|
|
|
¥70.6
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
- R6010YND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥485
-
2,415在庫
|
Mouser 部品番号
755-R6010YND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
|
|
2,415在庫
|
|
|
¥485
|
|
|
¥313.9
|
|
|
¥215.9
|
|
|
¥174.4
|
|
|
¥163.9
|
|
|
¥154.1
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
- R6014YND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥659.4
-
4,936在庫
|
Mouser 部品番号
755-R6014YND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
|
|
4,936在庫
|
|
|
¥659.4
|
|
|
¥431.9
|
|
|
¥302.3
|
|
|
¥249.2
|
|
|
¥249.2
|
|
|
¥232.5
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
- R6502END3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥297.3
-
3,457在庫
|
Mouser 部品番号
755-R6502END3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
|
|
3,457在庫
|
|
|
¥297.3
|
|
|
¥189.4
|
|
|
¥125.9
|
|
|
¥99.2
|
|
|
¥83.7
|
|
|
表示
|
|
|
¥90.5
|
|
|
¥78.1
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ショットキーダイオードおよび整流器 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
- RB075BM40SFHHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥333.9
-
4,680在庫
|
Mouser 部品番号
755-RB075BM40SFHHTL
|
ROHM Semiconductor
|
ショットキーダイオードおよび整流器 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
|
|
4,680在庫
|
|
|
¥333.9
|
|
|
¥212.6
|
|
|
¥143
|
|
|
¥113.1
|
|
|
¥93
|
|
|
表示
|
|
|
¥103.6
|
|
|
¥90.7
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ショットキーダイオードおよび整流器 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
- RB075BM40SFNSTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥292.3
-
4,914在庫
|
Mouser 部品番号
755-RB075BM40SFNSTL
|
ROHM Semiconductor
|
ショットキーダイオードおよび整流器 RECT 40V 5A SM SKY BARRI
|
|
4,914在庫
|
|
|
¥292.3
|
|
|
¥186
|
|
|
¥123.9
|
|
|
¥97.5
|
|
|
¥81.6
|
|
|
表示
|
|
|
¥88.9
|
|
|
¥76.2
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3G08CBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥480
-
2,272在庫
|
Mouser 部品番号
755-RD3G08CBKHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,272在庫
|
|
|
¥480
|
|
|
¥310.6
|
|
|
¥214.3
|
|
|
¥172.7
|
|
|
¥161.6
|
|
|
¥152
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3G08CBLHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥473.4
-
2,480在庫
|
Mouser 部品番号
755-RD3G08CBLHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,480在庫
|
|
|
¥473.4
|
|
|
¥307.3
|
|
|
¥210.9
|
|
|
¥169.4
|
|
|
¥158.6
|
|
|
¥149
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
- RD3P02BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥378.7
-
2,456在庫
|
Mouser 部品番号
755-RD3P02BATTL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
|
|
2,456在庫
|
|
|
¥378.7
|
|
|
¥242.5
|
|
|
¥164.4
|
|
|
¥131.1
|
|
|
¥120.3
|
|
|
¥109.6
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET TO252 100V 35A N-CH MOSFET
- RD3P03BBHTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥421.9
-
3,796在庫
|
Mouser 部品番号
755-RD3P03BBHTL1
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET TO252 100V 35A N-CH MOSFET
|
|
3,796在庫
|
|
|
¥421.9
|
|
|
¥272.4
|
|
|
¥186
|
|
|
¥148.2
|
|
|
¥135.4
|
|
|
表示
|
|
|
¥140.9
|
|
|
¥127.2
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
MOSFET Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3P06BBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥413.6
-
2,705在庫
|
Mouser 部品番号
755-RD3P06BBKHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,705在庫
|
|
|
¥413.6
|
|
|
¥265.8
|
|
|
¥181
|
|
|
¥144.5
|
|
|
¥132.9
|
|
|
¥123.4
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ESD保護ダイオード/TVSダイオード 22V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
- RSDT27BMFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥506.6
-
2,350在庫
|
Mouser 部品番号
755-RSDT27BMFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
ESD保護ダイオード/TVSダイオード 22V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
|
|
2,350在庫
|
|
|
¥506.6
|
|
|
¥302.3
|
|
|
¥225.9
|
|
|
¥181
|
|
|
¥159.3
|
|
|
表示
|
|
|
¥169.4
|
|
|
¥146.7
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ESD保護ダイオード/TVSダイオード 24V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
- RSDT30BMFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥503.3
-
4,978在庫
|
Mouser 部品番号
755-RSDT30BMFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
ESD保護ダイオード/TVSダイオード 24V 2500W, Highly Reliable, Transient Voltage Suppressor for Automotive
|
|
4,978在庫
|
|
|
¥503.3
|
|
|
¥327.2
|
|
|
¥225.9
|
|
|
¥182.7
|
|
|
¥162.4
|
|
|
表示
|
|
|
¥171.1
|
|
|
¥146.7
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ショットキーダイオードおよび整流器 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
- YQ20BGE10SDTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥348.8
-
4,797在庫
|
Mouser 部品番号
755-YQ20BGE10SDTL
|
ROHM Semiconductor
|
ショットキーダイオードおよび整流器 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
|
|
4,797在庫
|
|
|
¥348.8
|
|
|
¥222.6
|
|
|
¥149.3
|
|
|
¥119.3
|
|
|
¥101.2
|
|
|
表示
|
|
|
¥108.5
|
|
|
¥96.3
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
ショットキーダイオードおよび整流器 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
- YQ20BM10SDFHTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥345.5
-
4,497在庫
-
2,500予想2026/10/26
|
Mouser 部品番号
755-YQ20BM10SDFHTL
|
ROHM Semiconductor
|
ショットキーダイオードおよび整流器 Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
|
|
4,497在庫
2,500予想2026/10/26
|
|
|
¥345.5
|
|
|
¥219.3
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