2 Gbit 組み込みソリューション

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 190
複数: 190
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3.3V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000


ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI NAND Flash 2Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

ISSI DRAM DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 242
複数: 242

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 136
複数: 136

ISSI DRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 242
複数: 242

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3L, 256Mx8, 1600MT/s at 11-11-11, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 242
複数: 242

ISSI DRAM 2G, 1.35V, DDR3L, 256Mx8, 1866MT/s at 13-13-13, 78 ball BGA (8mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000