8 bit 0 C メモリ IC

結果: 308
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース メモリ サイズ インタフェース タイプ
Alliance Memory DRAM DDR3L, 8G, 1G X 8, 1.35V, 78-ball FBGA, 933 Mhz, Commercial Temp - Tape & Reel 非在庫リードタイム 40 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-78 8 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR2, 2G, 256M x 8, 1.8v, 60-ball BGA, 400MHz, (A-die) Commercial Temp - Tray 在庫なし
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 512Mb, 64M x 8, 1.35V, 96-ball BGA, 800MHz, Commerical Temp - Tape & Reel 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 2G, 256M x 8, 1.35V, 78 -balll BGA, 800MHz, COMMERCIAL temp - Tape & Reel 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
DRAM SMD/SMT FBGA-78 2 Gbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M, 32M X 8, 3.3V, 54PIN TSOP II,143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Commercial Temp - Tray 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 64M x 8, 2.5V, 66pin TSOPII, 200MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 非在庫リードタイム 20 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 512Mb, 64M x 8, 1.5V, 78-ball FBGA,800MHz, Commercial Temp - Tray リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 512Mb, 64M x 8, 1.5V, 78-ball FBGA,800MHz, Commercial Temp - Tape & Reel 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT FBGA-78 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR3, 512Mb, 64M x 8, 1.35V, 96-ball BGA, 800MHz, Commerical Temp - Tray リードタイム 16 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 512 Mbit
Alliance Memory DRAM DDR4, 8Gb, 1G x 8, 1.2V, 78-ball FBGA, 1600Mhz, Commercial Temp, Rev.A - Tray 非在庫リードタイム 12 週間
最低: 1
複数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 960
複数: 480

MRAM SMD/SMT BGA-24 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-24 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 0 to +70C 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
: 1,000

MRAM SMD/SMT SOIC-16 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 256 kbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 256 kbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 256 kbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,140
複数: 570

MRAM SMD/SMT DFN-8 4 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000

MRAM SMD/SMT DFN-8 4 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 696
複数: 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel