S80KS5123GABHM020

Infineon Technologies
727-S5123GABHM020
S80KS5123GABHM020

メーカ：

詳細：
DRAM SPCM

データシート:
ECADモデル:
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Infineon
製品カテゴリー: DRAM
RoHS:  
FBGA-24
S80KS5123
Tray
ブランド: Infineon Technologies
水分感度: Yes
取り付け様式: SMD/SMT
製品タイプ: DRAM
認証: AEC-Q100
工場パックの数量: 676
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
トレードネーム: HYPERRAM
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320028
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2
原産地分類
原産国:
タイ
組立原産国:
タイ
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

S80KS5122 & S80KS5123 HYPERRAM™ 2.0メモリ

Infineon Technologies S80KS5122およびS80KS5123 HYPERRAM™ 2.0メモリは、高速、低ピン本数、低電力 セルフ更新ダイナミックRAM（DRAM）であり、スクラッチパッドまたはバッファリング目的で拡張メモリを必要とする高性能組み込みシステムを対象としています。  HYPERRAM製品は、JEDEC JESD251プロファイル に準拠したHYPERBUS™およびオクタルxSPIインターフェイスをサポートしており、パラレルおよびシリアルインターフェイスメモリのレガシー機能を活用すると同時に、システムの性能を強化して設計を容易にし、システムコストを削減します。     ピンの本数が少ないアーキテクチャ（低ピン数アーキテクチャ）によって、HYPERRAMはオフチップ外付けRAMを必要とし電力に制限があり実装スペースが限られているアプリケーションに特に適しています。

在庫: 501

在庫：
501 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
26 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,631 ¥2,631
¥2,443.3 ¥24,433
¥2,368.6 ¥59,215
¥2,312.1 ¥115,605
¥2,255.6 ¥225,560
¥2,182.6 ¥545,650
¥2,127.7 ¥1,063,850
¥1,991.5 ¥1,346,254
2,704 見積り

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