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= Vishay
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Vishay MXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFET
06/19/2026
06/19/2026
750Vのドレイン・ソース間電圧、高速スイッチング速度、および3μsの短絡耐量時間を特徴としています。
Vishay VS-HOT200C080 200A 80VパワーMOSFETモジュール
04/02/2026
04/02/2026
このデバイスは、標準のディスクリートソリューションと比べて基板占有面積を最大15%削減します。
Vishay T3KN12CA thru T3KN100CA PAR® TVS
03/18/2026
03/18/2026
TVSs are bidirectional, 3000W peak-pulse-power devices ideal for automated placement.
Vishay 3KDFN12CA - 3KDFN100CA TVSダイオード
03/02/2026
03/02/2026
Transzorb® TVS ダイオードは、電圧スパイクからセンシティブな電子機器を保護するために設計されています。
Vishay High Current Density/Voltage Schottky Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Delivers robust performance for demanding power‑conversion applications.
Vishay SE40CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Designed for demanding power conversion applications
Vishay SE30CLJ Surface-Mount High Voltage Rectifiers
02/03/2026
02/03/2026
Engineered for robust performance in demanding power conversion applications.
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
06/03/2025
06/03/2025
1,200V、1A、または2Aハイパーファースト整流器で、SlimSMA HV (DO-221AC)パッケージに収められています。
Vishay LVE2580E Low VF Single In-Line Bridge Rectifier
05/20/2025
05/20/2025
Offers low forward voltage drop & noise with high surge current in a thin single-in-line package.
Vishay SxBx Surface-Mount Glass Passivated Rectifiers
04/03/2025
04/03/2025
Offers current ratings from 1.0A to 5.0A and peak reverse voltages ranging from 400V to 1000V.
Vishay VS-EBU15006HN4超高速ソフトリカバリダイオード
03/25/2025
03/25/2025
高周波パワーコンディショニングシステムでの損失とEMI/RFIを低減するように最適化された150Aダイオードです。
Vishay SiJK5100E NチャンネルMOSFET
11/11/2024
11/11/2024
TrenchFET® Gen VパワーMOSFETで、100Vドレイン-ソース電圧および536Wの最大電力損失が備わっています。
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Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz~1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
10/06/2026
2.5GHz~2.9GHz、および2.9GHz~3.3GHzで動作する200W~300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
10/02/2026
10/02/2026
電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
09/15/2026
09/15/2026
電源ラインまたはその他の低速I/OをESDおよび小さなサージトランジェントから保護するように設計されています。
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Littelfuse AK10-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
09/10/2026
09/10/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
09/09/2026
09/09/2026
エレクトレットコンデンサマイクロホン(ECM)など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
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