EPCOS / TDK AEC-Q200認定インダクタ
EPCOS TDK AEC-Q200認定インダクタは、難燃性成形または注入成形ベースによるセラミック/フェライトおよびフェライトドラムコアが特徴です。これらのインダクタのシリーズには、複数の端子巻線の方法、ならびにさまざまな定格電流とインダクタンスがあります。高い温度、湿度、熱衝撃性に対するそれらの耐性によって、これらのインダクタは、自動車用電子制御システム、通信、産業用電子機器といった広範囲のアプリケーション設計に理想的です。
シリーズのオプション
B82422A SIMID 1210-100 SMTインダクタは、レーザー溶接巻線、難燃性成形、高共振周波数、0.0082µH～100µHの定格インダクタンスが特徴です。データシート
B82422H SIMID 1210-H SMTインダクタには、フェライト・ドラム・コア、レーザー溶接巻線、難燃性成形、非常に高い通電能力、1µH～680µHの定格インダクタンス範囲が備わっています。データシート
B82422T SIMID 1210-T SMTインダクタは、レーザー溶接巻線、難燃性成形、高共振周波数、高Q係数、高L値、0.010µH～100µHの定格インダクタンスが特徴です。データシート
B82432C SIMID 1812-C SMTインダクタには、直立フェライト・ドラム・コア、レーザー溶接巻線、難燃性成形、高Q係数、1µH～1000µHの定格インダクタンス範囲が備わっています。データシート
B82432T SIMID 1812-T SMTインダクタは、直立フェライト・コア・ドラム、レーザー溶接巻線、難燃性成形、高通電能力が特徴で、1µH～1000µHの定格インダクタンス範囲が備わっています。データシート
B82442A SIMID 2220-A SMTインダクタは、レーザー溶接巻線、難燃性成形、直立フェライト・ドラム・コア、最大1.8Aの通電能力、1µH～10000µHの定格インダクタンス範囲を実現しています。データシート
B82442H SIMID 2220-H SMTインダクタには、1µH～10000µHの定格インダクタンス範囲、レーザー溶接巻線、難燃性成形、直立フェライト・ドラム・コア、最大2.5Aの通電能力、高L値が備わっています。データシート
B82442T SIMID 0805-F SMTインダクタは、フェライト・ドラム・コアが特徴で、レーザー溶接巻線、難燃性成形、非常に高い通電能力、高L値、1µH～10000µHの定格インダクタンス範囲が備わっています。データシート
B82462A4 SMTパワー・インダクタには、6.0mm x 6.0mm X 3.0mmコンポーネントで、フェライト・コアおよびエナメル銅巻線が端子に溶接されています。これらのインダクタは、0.11A～3Aの大定格電流、1µH～1000µHの定格インダクタンス範囲、低DC抵抗が備わっています。データシート
B82462G4 SMTパワー・インダクタは、磁気密閉フェライト・コアが特徴で、エナメル銅ワイヤ巻線が端子に溶接されています。6.3mm x 6.3mm X 3.0mmコンポーネントは、0.16A～3.45Aの大きな定格電流範囲、低DC抵抗、0.82µH～1000µHの定格インダクタンス範囲を実現しています。データシート
B82464A4 SMTパワーインダクタには、1µH～1000µHの定格インダクタンス範囲が備わっており、0.33A～7Aの定格電流範囲、低DC抵抗が備わっています。10.4mm × 10.4mm x 4.8mmのデバイスは、フェライト・コアで構成されており、エナメル銅巻線が端子に溶接されています。データシート
B82464G4 SMTパワー・インダクタは、磁気密閉フェライト・コアが特徴で、エナメル銅ワイヤ巻線が端子に溶接されています。B82464G4インダクタは、0.34A～7.6Aの大きな定格電流範囲、0.82µH～1000µHの定格インダクタンス範囲、低DC抵抗が特徴で、10.4mm × 10.4mm x 4.8mmパッケージに収められています。データシート
B82464P4 SMTパワー・インダクタは、磁気密閉フェライト・コアが特徴で、エナメル銅ワイヤ巻線が端子に溶接されています。10.4mm × 10.4mm x 4.8mmパッケージ化されたインダクタで、0.34A～7.5Aの大きな定格電流範囲、0.82µH～1000µHの定格インダクタンス範囲、低DC抵抗が備わっています。データシート
B82472P6 SMTパワー・インダクタには、1µH～1000µHの定格インダクタンス範囲、0.2A～3.6Aの大きな定格電流範囲、低DC抵抗、高機械的安定性が備わっており、7.3mm x 7.3mm x 4.5mmのパッケージに収められています。この構造は、磁気密閉フェライト・コアで構成されており、エナメル銅ワイヤ巻線が端子に溶接されています。データシート
B82473M1 SMTパワー・インダクタは、磁気密閉フェライト・コアで構成されている構造が特徴で、エナメル銅巻線が端子と射出成形ベースに溶接されています。8.3mm x 7.5mm x 5.5mmインダクタには、低DC抵抗、高機械的安定性、0.34A～2.3Aの定格電流範囲、10µH～470µHの定格インダクタンスが備わっています。データシート
B82475M1 SMTパワー・インダクタは、10.4mm x 10.0mm x 5.8mmインダクタで、磁気密閉フェライト・コアで構成されている構造が特徴で、エナメル銅巻線が端子と射出成形ベースに溶接されています。このインダクタには、10µH～680µHの定格インダクタンス範囲、0.28A～2.6Aの定格電流範囲、高機械的安定性、低DC抵抗が備わっています。データシート
B82476B1 SMTパワー・インダクタは、1µH～1000µHの定格インダクタンス範囲、大定格電流、低DC抵抗、フェライトコア構造が特徴で、エナメル銅巻線が端子に溶接されています。12.95mm x 9.40mm x 5.08mmコンポーネントは、プラスチック端子台を使用した頑丈な設計のインダクタです。データシート
B82477D4 SMTパワー・インダクタには、磁気密閉フェライト・コアが備わっており、エナメル銅ワイヤ巻線が端子に溶接されています。B82477D4インダクタには、特殊な巻線技術が採用されており、低漂遊インダクタンスおよび高結合係数が備わっています。その他の機能には、大定格電流、低DC抵抗、2µH～100µHの定格インダクタンス範囲があります。データシート
B82477P2 SMTパワー・インダクタは、フェライト・コア磁気密閉構造が特徴で、エナメル銅ワイヤ巻線が端子と射出成形ベースにはんだ付けされています。その他の機能には、機械的高安定性、0.53A～9.25Aの定格電流範囲、低DC抵抗、1µH～1000µHの定格インダクタンス範囲があります。データシート
B82477P4 SMTパワー・インダクタは、フェライト・コア磁気密閉構造で実現されており、エナメル銅ワイヤ巻線が端子と射出成形ベースにはんだ付けされています。これらのコンポーネントは、低DC抵抗、0.6A～11Aの定格電流範囲、機械的高安定性、0.82µH～1000µHのインダクタンス範囲が特徴です。データシート
B82477R4 SMTパワー・インダクタは、寸法12.5mm x 12.5mm x 8.5mmで、0.82µH～1000µHの定格インダクタンス範囲、高機械的安定性、大定格電流が備わっています。この構造は、磁気密閉フェライト・コアで構成されており、エナメル銅ワイヤ巻線が端子と射出成形ベースにはんだ付けされています。データシート
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