Infineon Technologies 1200V 3レベルIGBTモジュール

Infineon Technologies 1200V 3レベルIGBTモジュールは、設計柔軟性を制限することなく電気的性能および高い信頼性を発揮します。IGBTモジュールは、わずか数百ワット~数メガワットまでの範囲をカバーしています。1200V IGBTモジュールは、3レベルアプリケーションを対象に設計されています。

1,200V IGBTモジュールは、パワーエレクトロニクスアプリケーションの再現可能な熱性能を目的とした、事前に適用された熱インターフェイス素材(TIM)備えています。さらに、IGBTを使用すると、はんだレスおよび鉛フリー装着のパワーモジュールで、PressFITピンを活用した取付が可能になります。

特徴

  • 拡張動作温度 Tvjop
  • スイッチング損失が低い
  • 低VCEsat
  • 無敵の堅牢性
  • Tvjop=150°C
  • 正の温度係数を持つVCEsat
  • 絶縁型ベースプレート
  • スタンダードの筐体
  • 事前に塗布された熱伝導材料
公開: 2021-10-22 | 更新済み: 2024-07-26