Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリート・トランジスタ
Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7ディスクリートトランジスタは、高度技術が特徴で、効率的なエネルギーアプリケーションの需要を満たしています。Infineon Technologies 650Vトランジスタは、正確な制御と高性能を目的とした最先端のマイクロパターントレンチ設計が特徴です。この設計により、ストリング・インバーター、エネルギー貯蔵システム（ESS）、EV充電、産業用UPS、溶接などといった、さまざまな産業において、大幅な損失の削減、効率性の改善、電力密度の向上がもたらされます。
特徴
- VCE = 650V
- IC =最大150A
- スイッチング損失が低い
- 非常に低いコレクタ－エミッター飽和電圧VCEsat
- 非常にソフトな高速リカバリ逆並列ダイオード
- スムーズなスイッチング動作
- 湿度の堅牢性
- ハードスイッチング、2レベルおよび3レベル・トポロジ向けに最適化済
アプリケーション
- 産業用UPS
- EV充電
- ストリングインバータ
- 溶接
概要
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公開: 2024-01-30
| 更新済み: 2024-03-01