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Infineon CoolMOS™ P7パワートランジスタ |
| Infineon CoolMOS™ 700V P7パワートランジスタは、高電圧パワーMOSFET向けの革命的な技術であるCoolMOSが特徴です。この700Vは、スーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計され、Infineon Technologiesによって開発されています。最新の700V CoolMOS P7は、充電器、アダプタ、照明、TVその他といった消費者市場におけるコスト重視のアプリケーションをターゲットにカスタマイズされた最適化プラットフォームです。
新しいシリーズは、優れた価格/性能比と最先端の使いやすさを組み合わせ、高速スイッチングのスーパージャンクションMOSFETのすべてのメリットを提供します。この技術は、最高の効率基準を満たし、高出力密度をサポートすることで非常にスリムな設計を希望するお客様の要件に対応します。 特徴 - 非常に低いFOM RDS(on) QgおよびRDS(on) Eossで極めて低い損失
- 優れた熱挙動
- 集積ESD保護ダイオード
- 低スイッチング損失（Eoss）
- コスト競争力が高い技術
- より低い温度
- 高ESD耐久性
- より高いスイッチング周波数で効率を向上
- 高電力密度設計と小型フォームファクタが可能
- 標準グレードアプリケーションに対する認定
アプリケーション - 例えば充電器、アダプタ、照明アプリケーションなどで使用されているフライバックトポロジに推奨
| | Infineon CoolMOS P7 800Vパワートランジスタには、使い勝手の良いベストインクラスの性能が組み合わされています。P7は、800Vスーパージャンクション技術での新たなベンチマークを設定します。このトランジスタには、最大0.6パーセントの効率性ゲインおよび2°C～8°Cと、更に低くなったMOSFET温度が備わっています。
このトランジスタは、EossやQgの50%以上の削減などの最適化されたデバイスパラメータが特徴で、CissとCossを削減します。CoolMOS P7は、より低いスイッチング損失およびより良いDPAK RDS(on)を通して、より高い電力密度設計も可能です。CoolMOS P7は、低消費電力SMPSアプリケーションに最適です。 特徴 - クラス最高の性能
- より高い電力密度設計、BOM節約、より低い組立コストの実現
- 駆動と並列が簡単
- ESD関連障害を低減し、向上した製品歩留まり
- 生産問題がより減少し、故障返品が削減可能
- 設計の微調整に適切な部品の選択が簡単
アプリケーション - LED照明のハードスイッチングとソフトスイッチング用フライバックトポロジに最適
- 低消費電力の充電器とアダプタ
- オーディオ
- AUX電力と工業用電力
- 民生アプリケーションでのPFC段
- ソーラー
| | Infineon 600V CoolMOS P7パワートランジスタは第7世代デバイスで、高電圧パワーMOSFET向けの革命的な技術が活用されています。このトランジスタは、スーパージャンクション（SJ）の原理に従って設計され、Infineon Technologiesによって開発されています。
600V CoolMOS P7には、高速スイッチングSJ MOSFETのメリットと、優れた使い勝手が組み合わされています。600V P7は、非常に低いリンギング傾向、硬質転流に対するボディダイオードの優れた堅牢性と優れたESD性能が特徴です。
スイッチング損失と導通損失が極端に低いため、スイッチングアプリケーションの効率、コンパクト、軽量、低冷却性がさらに向上します。 特徴 - 際立った通信堅牢性のために、ハードスイッチングとソフトスイッチング（PFCおよびLLC）に最適
- スイッチング損失と導通損失の大幅な低減
- 低RDS(on)*A（1オーム*mm²未満）によって可能な競合製品と比較してより良いRDS(on)/パッケージ製品
- JEDEC（J-STD20およびJESD22）に準拠したさまざまな産業および民生グレードアプリケーションを対象に細分化されたRDS(on)
- 低リンギング傾向とPFCおよびPWM段全体での用途における使いやすさと高速設計
- 全ての製品のための優れたESD堅牢性>2kV（HBM）
- 低スイッチング損失および導通損失のために簡素化された温度管理
- より小さな形状とより高い製造品質の製品を使用することで可能な、>2kV ESD保護によって増大した電力密度ソリューション
- さまざまなアプリケーションと電力範囲に適する
アプリケーション - PFC、ハードスイッチングPWM、共振スイッチング電力段など PC Silverbox、アダプタ、LCD & PDPテレビ、照明、サーバー、テレコム & UPS
| | Infineon Technologies TLE9250高速CANトランシーバは、HS CANネットワーク内で使用される高速CANトランシーバで、車載および産業用アプリケーションを対象としています。このトランシーバは、ISO 11898-2（2016）物理層仕様要件およびSAE規格J1939ならびにJ2284を満たしています。TLE9250は、PG-DSO-8パッケージ、および小型リードレスPG-TSON-8パッケージに格納されています。どちらのパッケージもRoHSに準拠しておりハロゲンフリーです。さらに、PG-TSON-8パッケージは、自動光学検査（AOI）のはんだ接合要件をサポートしています。TLE9250は、物理バス層とHS CANプロトコルコントローラとの間のインターフェイスとしてネットワークの内部で生成される干渉からマイクロコントローラを保護します。非常に高いESD堅牢性と完璧なRF耐性によって、サプレッサーダイオードのような保護デバイスを追加することなく車載アプリケーションに使用できます。 特徴 - ISO 11898-2（2016）およびSAE J2284-4/-5に完全準拠
- CANトランシーバの相互運用性テスト仕様のリファレンスドライバとパーツ
- CAN FDデータフレーム向けの保証されたループ遅延対称形最大5 Mbit/s
- 非常に低い電磁放射（EME）によって、コモンモードチョークなしでの使用が可能
- 電磁耐性（EMI）のための広いコモンモード範囲
- 優れたESD堅牢性+/-8kV（HBM）および+/-11kV（IEC 61000-4-2）
- VCCでの拡張供給範囲
- グランド、バッテリ、VCCへのCAN短絡防止
- TXDタイムアウト機能
- パワーダウン状態での非常に低いCANバス漏洩電流
- 過熱保護
- ISO 7637およびSAE J2962-2規格に準拠した自動車トランジェントに対する保護
- 受信専用モードと省電力モード
- 環境配慮型製品（RoHS準拠）
- 自動光学的検査（AOI）用に設計された小型リードレスTSON8パッケージ
- AEC認定
アプリケーション - エンジン制御装置（ECU）
- 電動パワーステアリング
- トランスミッション制御装置（TCU）
- シャーシ制御モジュール
| | Infineon Technologies EVAL_3kW_2LLC_C7評価ボードは、高効率要件があるテレコム/工業SMPSのデュアル位相LLCシステムソリューションの設計に使用されます。このボードは、一次側のCoolMOS™ IPP60R040C7 600VパワーMOSFET、および同期整流二次段のSuperSO8 BSC093N15NS5のOptiMOS™低電圧パワーMOSFETが特徴です。また、このボードは、QR CoolSET ICE2QR2280Z、1EDI60N12AF EiceDRIVER™高電圧・高速ドライバICも特徴で、MOSFET、ローサイドゲートドライバ2EDN7524R、デジタルLLCコントローラXMC4400を対象としています。 |
| | Infineon Technologies EVAL45W19VFLYBP7TOBO1 45Wアダプタ・デモボードは、800V CoolMOS™ P7シリーズの高電圧MOSFETのテストに使用されます。このアダプタには、第2世代ICE2QS03G電流モード制御疑似共振フライバック・コントローラおよびIPA80R450P7 800 V CoolMOS™P7シリーズパワーMOSFETが採用されています。このボードは、充電器およびアダプタ・アプリケーションのフォーム、適合性、機能テスト・プラットフォームとなるように意図されています。このデモボードは、擬似共振フライバック・トポロジを中心に設計されており、スイッチング損失を改善してさらなる高電力密度設計を可能にし、放射および伝導放出を低減することを目的としています。 | |
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公開: 2016-09-14
| 更新済み: 2016-09-14
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