Infineon Technologies OptiMOS™ 高速ダイオード（FD）パワー MOSFET

インフィニオンOptiMOS™ Fast Diode (FD) デバイスは、インフィニオンの200Vおよび250VオプションのNチャネルパワーMOSFETの最も新しい世代です。これらのインフィニオンOptiMOS FD デバイスはQ_rrの低減、非常に低いオン抵抗、175ºCでの動作可能を特長としています。これらのインフィニオンOptiMOS FD MOSFETは、ボディダイオード ハードコミュテーションに最適化されており、電気通信、産業用電源、D級オーディオアンプ、モータ制御、DC/ACインバータなどのアプリケーションに最適です。