IXYS ゲートドライバ（NチャンネルMOSFET & IGBT用）

N チャネルMOSFETおよびIGBT用IXYSゲートドライバには、高電圧高速ゲートドライバおよび3相ゲートドライバICが含まれています。これらのデバイスは、ハーフブリッジ構成またはハイサイド/ローサイド構成で 2 つの N チャネルMOSFETまたはIGBTドライブ用に設計されています。高電圧テクノロジーブートストラップ操作でハイサイドを600Vにスイッチすることができます。ドライバは、ドライバの相互導通を最小限に抑えることを目的に設計された大パルス電流バッファ機能を実現します。その他の機能には、3.3V機能を備えた論理入力、シュミット論理ロジック入力、および不足電圧ロックアウト(UVLO) 保護が含まれます。N チャネルのIXYSゲートドライバMOSFETおよびIGBTは、-40°C から +125°C の拡張温度範囲で動作します。