ブラウザのJavascriptが無効になっています。このページの機能の一部は、ログインしないと作動しません。

STDRIVEG611Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG611Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG611Q
Price: 561 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STDRIVEG611Q

メーカ番号：

STDRIVEG611Q

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

あなたの設計を完成させましょう

ライフサイクル:

新製品:

このメーカーの新製品

データシート:

STDRIVEG611Q データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

STMicroelectronics STDRIVEG611Qの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-18
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	3 Output
供給電圧 - 最小:	10.6 V
供給電圧 - 最大:	18 V
構成:	Inverting, Non-Inverting
上昇時間:	11 ns
下降時間:	22 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	STMicroelectronics
入力電圧－最大:	20 V
入力電圧－最小:	3.3 V
最長電源切断遅延時間:	60 ns
最長電源投入遅延時間:	60 ns
水分感度:	Yes
製品タイプ:	Gate Drivers
シャットダウン:	No Shutdown
工場パックの数量:	4900
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN
単位重量:	44 mg

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

STDRIVEG611Q データシート (PDF)

この機能はJavaScriptを有効にすることが必要です。

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STDRIVEG611 ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG611 ハーフブリッジゲートドライバは、NチャネルエンハンスメントモードGaN向けの高電圧ハーフブリッジゲートドライバです。ハイサイドドライバセクションは、最大600Vの電圧レールに耐えるように設計されており、内蔵のブートストラップダイオードによって簡単に供給することができます。大電流対応、短い伝搬遅延と優れた遅延整合、および内蔵LDOにより、STDRIVEG611は高速GaN駆動向けに最適化されています。