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|
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
- UG3SC120009K4S
- onsemi
-
1:
¥11,449.3
-
592在庫
|
Mouser 部品番号
431-UG3SC120009K4S
|
onsemi
|
JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO
|
|
592在庫
|
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最低： 1
複数： 1
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|
ディスクリート半導体モジュール SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
- GCMS080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
¥4,900
-
399在庫
|
Mouser 部品番号
148-GCMS080B120S1-E1
|
SemiQ
|
ディスクリート半導体モジュール SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
|
|
399在庫
|
|
|
¥4,900
|
|
|
¥3,612.7
|
|
|
¥3,239
|
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|
¥3,137.6
|
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|
見積り
|
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見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
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|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
- AFGHL50T65SQDC
- onsemi
-
1:
¥2,053
-
834在庫
|
Mouser 部品番号
863-AFGHL50T65SQDC
|
onsemi
|
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
|
|
834在庫
|
|
|
¥2,053
|
|
|
¥1,230.8
|
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|
¥1,083
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
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|
MOSFETモジュール 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
- BSM180C12P2E202
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥118,603.7
-
4在庫
|
Mouser 部品番号
755-BSM180C12P2E202
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETモジュール 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
|
|
4在庫
|
|
|
¥118,603.7
|
|
|
¥115,547.5
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
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|
MOSFETモジュール MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
- MSC017SMA120S
- Microchip Technology
-
1:
¥7,911.3
-
160在庫
|
Mouser 部品番号
579-MSC017SMA120S
|
Microchip Technology
|
MOSFETモジュール MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
|
|
160在庫
|
|
|
¥7,911.3
|
|
|
¥7,295.1
|
|
|
¥6,348.3
|
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|
見積り
|
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|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
- AFGHL75T65SQDC
- onsemi
-
1:
¥1,998.2
-
417在庫
-
NRND
|
Mouser 部品番号
863-AFGHL75T65SQDC
NRND
|
onsemi
|
IGBT 650V 75A FS4 HYBRID IGBT
|
|
417在庫
|
|
|
¥1,998.2
|
|
|
¥1,195.9
|
|
|
¥1,044.8
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
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|
|
GaN FET RedesignofQPD1004
- QPD1004ASR
- Qorvo
-
1:
¥22,111.2
-
42在庫
-
100予想2027/01/14
-
新製品
|
Mouser 部品番号
772-QPD1004ASR
新製品
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1004
|
|
42在庫
100予想2027/01/14
|
|
|
¥22,111.2
|
|
|
¥22,111.2
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1011
- QPD1011ASR
- Qorvo
-
1:
¥10,828.1
-
90在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
772-QPD1011ASR
新製品
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1011
|
|
90在庫
|
|
|
¥10,828.1
|
|
|
¥8,954.5
|
|
|
¥8,486
|
|
|
¥8,486
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 25
:
100
|
|
|
|
|
GaN FET RedesignofQPD1014
- QPD1014ASR
- Qorvo
-
1:
¥13,120.2
-
90在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
772-QPD1014ASR
新製品
|
Qorvo
|
GaN FET RedesignofQPD1014
|
|
90在庫
|
|
|
¥13,120.2
|
|
|
¥10,909.4
|
|
|
¥10,422.8
|
|
|
¥10,422.8
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 25
:
100
|
|
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|
|
MOSFETモジュール 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
- BSM300C12P3E201
- ROHM Semiconductor
-
1:
¥122,565.2
-
4在庫
|
Mouser 部品番号
755-BSM300C12P3E201
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETモジュール 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
|
|
4在庫
|
|
|
¥122,565.2
|
|
|
¥120,457.4
|
|
最低： 1
複数： 1
|
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|
|
ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
- MSC40SM120JCU3
- Microchip Technology
-
1:
¥6,399.8
-
18在庫
|
Mouser 部品番号
494-MSC40SM120JCU3
|
Microchip Technology
|
ディスクリート半導体モジュール PM-MOSFET-SIC-SBD-SOT227
|
|
18在庫
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MOSFETモジュール MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
- MSC080SMA120J
- Microchip Technology
-
1:
¥4,783.7
-
31在庫
|
Mouser 部品番号
494-MSC080SMA120J
|
Microchip Technology
|
MOSFETモジュール MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227
|
|
31在庫
|
|
|
¥4,783.7
|
|
|
¥4,410
|
|
|
¥3,836.9
|
|
|
¥3,672.5
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG25N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥822.2
-
882在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-AIGBG25N120S7ATM
新製品
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
882在庫
|
|
|
¥822.2
|
|
|
¥538.2
|
|
|
¥402
|
|
|
¥335.5
|
|
|
¥312.3
|
|
|
¥292.3
|
|
最低： 1
複数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-SOT227
Microchip Technology APT100GT120JU3
- APT100GT120JU3
- Microchip Technology
-
1:
¥6,285.2
-
23在庫
|
Mouser 部品番号
494-APT100GT120JU3
|
Microchip Technology
|
IGBT モジュール PM-IGBT-TFS-SOT227
|
|
23在庫
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
- AIGBG15N120S7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥656.1
-
473在庫
-
2,000取寄中
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-AIGBG15N120S7ATM
新製品
|
Infineon Technologies
|
IGBT Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
|
|
473在庫
2,000取寄中
|
|
|
¥656.1
|
|
|
¥430.2
|
|
|
¥300.6
|
|
|
¥250.8
|
|
|
¥249.2
|
|
|
¥235.9
|
|
最低： 1
複数： 1
:
1,000
|
|
|
|
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT44R011M2HXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
¥3,169.2
-
1,670在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMT44R011M2HXTMA
新製品
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,670在庫
|
|
|
¥3,169.2
|
|
|
¥1,983.2
|
|
|
¥1,981.6
|
|
|
¥1,876.9
|
|
|
¥1,876.9
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
JFET UF3N120007K4S
- UF3N120007K4S
- onsemi
-
1:
¥10,668.6
-
1,089在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
772-UF3N120007K4S
新製品
|
onsemi
|
JFET UF3N120007K4S
|
|
1,089在庫
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 112
|
|
|
|
|
JFET UG4SC075005L8S
- UG4SC075005L8S
- onsemi
-
1:
¥9,172
-
967在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
772-UG4SC075005L8S
新製品
|
onsemi
|
JFET UG4SC075005L8S
|
|
967在庫
|
|
|
¥9,172
|
|
|
¥7,640.6
|
|
|
¥6,627.4
|
|
|
¥6,627.4
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 108
:
2,000
|
|
|
|
|
JFET UJ4N075004L8S
- UJ4N075004L8S
- onsemi
-
1:
¥7,712
-
1,714在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
772-UJ4N075004L8S
新製品
|
onsemi
|
JFET UJ4N075004L8S
|
|
1,714在庫
|
|
|
¥7,712
|
|
|
¥6,087.6
|
|
|
¥5,722.1
|
|
|
¥5,722.1
|
|
最低： 1
複数： 1
最大： 191
:
2,000
|
|
|
|
|
MOSFETモジュール MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF150SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
¥12,432.6
-
292在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
78-VS-SF150SA120
新製品
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETモジュール MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
292在庫
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MOSFETモジュール MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
- VS-SF100SA120
- Vishay Semiconductors
-
1:
¥10,005.9
-
232在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
78-VS-SF100SA120
新製品
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFETモジュール MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET
|
|
232在庫
|
|
|
¥10,005.9
|
|
|
¥8,989.3
|
|
|
見積り
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
ディスクリート半導体モジュール HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
- FF06MR12A04MA2AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥22,237.5
-
81在庫
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-FF06MR12A04MA2AK
新製品
|
Infineon Technologies
|
ディスクリート半導体モジュール HybridPACK DSC S module with SiC MOSFET and NTC
|
|
81在庫
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
ショットキーダイオードおよび整流器 SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3,341.9
-
371在庫
-
240予想2026/11/05
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IDWD25G200C5XKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
ショットキーダイオードおよび整流器 SIC DISCRETE
|
|
371在庫
240予想2026/11/05
|
|
|
¥3,341.9
|
|
|
¥2,273.9
|
|
|
¥2,126.1
|
|
|
¥1,933.4
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
ショットキーダイオードおよび整流器 SIC DISCRETE
- IDWD50G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥5,448.1
-
116在庫
-
240予想2026/11/05
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IDWD50G200C5XKSA
新製品
|
Infineon Technologies
|
ショットキーダイオードおよび整流器 SIC DISCRETE
|
|
116在庫
240予想2026/11/05
|
|
最低： 1
複数： 1
|
|
|
|
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMLT40R011M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥3,006.4
-
209在庫
-
1,800予想2026/10/15
-
新製品
|
Mouser 部品番号
726-IMLT40R011M2HXTM
新製品
|
Infineon Technologies
|
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
209在庫
1,800予想2026/10/15
|
|
|
¥3,006.4
|
|
|
¥1,759
|
|
|
¥1,730.8
|
|
|
¥1,730.8
|
|
最低： 1
複数： 1
:
1,800
|
|
|
