100V~150VのStrongIRFET™パワーMOSFET

Infineon Technologies 100V~150V StrongIRFET™パワーMOSFETは、低オン抵抗 (RDS(on)) および高電流機能を実現するように最適化されています。これらのデバイスは、100V時に最低1.3mΩのan RDS(on) および100V時に最高209Aの通電容量を実現しています。これらの機能により、従来の設計に対応しながら、伝導損失が減少し、電力密度が向上します。StrongIRFETパワーMOSFETは、性能と堅牢性を必要とする低周波数アプリケーションに最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモーター、バッテリマネジメントシステム、インバータ、DC/DCコンバータなど多種多様なアプリケーションに対処できます。

結果: 11
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 5,073在庫
400取寄中
¥1,116.2
¥634.5
¥554.8
¥519.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,877在庫
¥1,466.7
¥825.5
¥704.3
¥664.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 14,158在庫
¥1,644.4
¥1,001.6
¥913.6
¥840.5
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 1,544在庫
1,200予想2027/09/09
¥1,860.3
¥1,038.1
¥958.4
¥940.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 2,691在庫
¥1,355.4
¥734.2
¥672.7
¥578
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 674在庫
¥3,242.3
¥2,245.7
¥1,871.9
¥1,712.5
¥1,579.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 87在庫
7,600予想2026/10/14
¥973.3
¥511.6
¥445.1
¥385.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 359在庫
1,200取寄中
¥661.1
¥335.5
¥304
¥247.5
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 3,120在庫
¥1,287.3
¥692.6
¥634.5
¥578
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
33,408取寄中
¥720.9
¥368.7
¥327.2
¥272.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 非在庫リードタイム 22 週間
¥1,287.3
¥1,247.4
最低: 400
複数: 400
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube