TFM201612BLEA薄膜パワーインダクタ

TDK TFM201612BLEA 薄膜パワーインダクタは、0.33µH および 0.47µH 定格で、高飽和磁束密度を持つ薄膜金属磁性材料を採用しています。これにより、インダクタは電源回路に必要な優れた DC バイアス特性を実現します。TFM-BLEA パワーインダクタ は優れた安定性特性を備えており、汎用ランドパターンへの実装も可能です。これらのパワーインダクタは、漏れ磁束を最小化するために閉磁気回路構造を採用しています。TDK TFM-BLEAパワーインダクタは、AEC-Q200、RoHS、REACHに準拠しています。これらのパワーインダクタは、車載カメラ、レーダー、メータ・クラスタ、ADAS ECU、車載用通信モジュールに最適です。