パワーMOSFET

Infineonは、HEXFETパワーMOSFETテクノロジーのパイオニアであり、1979年に最初の六角トロポジMOSFETを開発および導入しました。これらの開発は、わずか4年後に広範な特許が付与されました。それ以来ほとんどのMOSFETメーカーは、この市場に参入する設計とプロセスのライセンスを取得しています。IR製品には、それらのクラスにおける類似コンポーネントを対象とした市販されている製品の中で最低レベルのMOSFET ON抵抗が備わっており、比類のない効率性をともなう電力変換サブシステム設計が実現します。IRには、最先端のシリコン技術と革新的なパッケージング技術が組み合わされています。IR POWIRTAB™、Super-220™、Super-247™パッケージによって、スタンダードのパッケージに比べて同じフットプリントで1デバイスあたり最大20A以上の電流が実現しており、電力密度が増大します。スタンダードの表面実装はんだ付け技術との互換性があるIRのFlipFET®パッケージング技術は、3倍の大きさの従来のパッケージと同じ性能で100％シリコンとフットプリント比率を実現しており、携帯電話やノートPCといったポータブルデバイスに最適なソリューションです。IRのDirectFET®パッケージングは、パッケージの上部からボードの熱を放散させることによって、スタンダードSO-8フットプリントでの熱管理に大きな革命をもたらしています。結果として、DirectFET MOSFETは、次世代マイクロプロセッサに給電する高電流回路における熱管理コストを半分にカットすると同時に、電流密度を2倍にできます。