MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
TK3P80E,RQ
Toshiba
1:
¥254.1
3,147 在庫
Mouser 部品番号
757-TK3P80ERQ
Toshiba
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
3,147 在庫
1
¥254.1
10
¥160.3
100
¥106.5
500
¥92.2
2,000
¥92.2
購入
最低: 1
複数: 1
リール :
2,000
詳細
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
3 A
4.9 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
80 W
Enhancement
MOSVIII
Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
TK9J90E,S1E
Toshiba
1:
¥656.1
2,650 在庫
Mouser 部品番号
757-TK9J90ES1E
Toshiba
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
2,650 在庫
1
¥656.1
10
¥370.4
100
¥299
500
¥277.4
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-3P
N-Channel
1 Channel
900 V
9 A
1.3 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MOSVIII
Tray
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
TK10A80E,S4X
Toshiba
1:
¥471.7
161 在庫
Mouser 部品番号
757-TK10A80ES4X
Toshiba
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
161 在庫
1
¥471.7
10
¥232.5
100
¥230.9
500
¥215.9
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-220FP-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
700 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
MOSVIII
Tube
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
TK10J80E,S1E
Toshiba
1:
¥732.5
4 在庫
Mouser 部品番号
757-TK10J80ES1E
Toshiba
MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
4 在庫
1
¥732.5
10
¥342.2
100
¥304
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
800 V
10 A
700 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MOSVIII
Tray
MOSFET TO252 900V 2A N-CH MOSFET
TK2P90E,RQ
Toshiba
1:
¥249.2
15 在庫
4,000 予想2026/08/07
Mouser 部品番号
757-TK2P90ERQ
Toshiba
MOSFET TO252 900V 2A N-CH MOSFET
15 在庫
4,000 予想2026/08/07
1
¥249.2
10
¥189.4
100
¥104.6
500
¥90
2,000
¥90
購入
最低: 1
複数: 1
リール :
2,000
詳細
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
900 V
2 A
5.9 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
12 nC
- 55 C
+ 150 C
80 W
Enhancement
MOSVIII
Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
TK3A90E,S4X
Toshiba
1:
¥267.4
250 在庫
Mouser 部品番号
757-TK3A90ES4X
Toshiba
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
250 在庫
1
¥267.4
10
¥126.2
100
¥126.1
500
¥98.7
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
900 V
2.5 A
4.6 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MOSVIII
Tube
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
TK4A80E,S4X
Toshiba
1:
¥272.4
270 在庫
Mouser 部品番号
757-TK4A80ES4X
Toshiba
MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
270 在庫
1
¥272.4
10
¥128.4
100
¥128.2
500
¥98.7
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
4 A
3.5 Ohms
- 30 V, 30 V
2.5 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
35 W
Enhancement
MOSVIII
Tube
MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
TK6A80E,S4X
Toshiba
1:
¥392
158 在庫
Mouser 部品番号
757-TK6A80ES4X
Toshiba
MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
158 在庫
1
¥392
10
¥191
100
¥189.4
500
¥166.1
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
6 A
1.35 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MOSVIII
Tube
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
TK7A90E,S4X
Toshiba
1:
¥365.4
170 在庫
Mouser 部品番号
757-TK7A90ES4X
Toshiba
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
170 在庫
1
¥365.4
10
¥177.7
100
¥176.1
500
¥152
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
900 V
7 A
1.6 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MOSVIII
Tube
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
TK9A90E,S4X
Toshiba
1:
¥533.2
326 在庫
Mouser 部品番号
757-TK9A90ES4X
Toshiba
MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
326 在庫
1
¥533.2
10
¥260.8
100
¥232.5
500
¥197.7
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
900 V
9 A
1 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
46 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
MOSVIII
Tube
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
TK7J90E,S1E
Toshiba
1:
¥554.8
98 予想2026/08/04
Mouser 部品番号
757-TK7J90ES1E
Toshiba
MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
98 予想2026/08/04
1
¥554.8
10
¥308.9
100
¥269.1
購入
最低: 1
複数: 1
詳細
Si
Through Hole
TO-3PN-3
N-Channel
1 Channel
900 V
7 A
1.6 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
200 W
Enhancement
MOSVIII
Tray