GaN FET – Mouser 日本

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TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET

Renesas Electronics 650V TP65H030G4Px 30mΩ窒化ガリウム（GaN）FETは、TOLT、TO247、TOLLパッケージでご用意があります。最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧のシリコンMOSFETを組み合わせ、優れた性能、スタンダードドライブ、容易な採用と高い信頼を可能にしているGen IV Plus SuperGaN^®プラットフォームを使用しています。

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画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	トランジスタ極性	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	トレードネーム	技術
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: ¥1,769 1,754在庫新製品	メーカ部品番号 TP65H030G4PRS-TR Mouser 部品番号 227-TP65H030G4PRS-TR 新製品	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets についての詳細を表示	データシート	1,754在庫	カットテープ ¥1,769 ¥981.7 ¥930.2 リール ¥810.6 ¥759.1 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 1,300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: ¥1,847 1,060在庫新製品	メーカ部品番号 TP65H030G4PWS Mouser 部品番号 227-TP65H030G4PWS 新製品	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets についての詳細を表示	データシート	1,060在庫	¥1,847 ¥1,028.2 ¥951.8 ¥827.2 表示見積り	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: ¥1,759 209在庫新製品	メーカ部品番号 TP65H030G4PQS-TR Mouser 部品番号 227-TP65H030G4PQS-TR 新製品	Renesas Electronics	GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets についての詳細を表示	データシート	209在庫	カットテープ ¥1,759 ¥1,171 ¥1,036.5 ¥910.2 ¥812.2 リール ¥752.4 MouseReel が利用可能	最低： 1 複数： 1 : 2,000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN

TP65H030G4Px 650V 30mΩ GaN FET

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