950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETには、スーパー・ジャンクション(SJ)技術が採用されています。SJ技術は、最先端の使いやすさが備わったベストインクラスの性能が組み込まれているため、照明および工業SMPSアプリケーションに最適です。PFDJは、最低レベルの逆回復電荷(Qrr)が備わった共振トポロジでの使用が可能になる統合超高速ボディダイオードです。

結果: 10
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,244在庫
2,000予想2026/10/22
カットテープ
¥1,252.4
¥672.7
¥616.2
¥589.7
リール
¥556.4
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 182在庫
480予想2026/10/19
¥1,177.6
¥666.1
¥612.9
¥566.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 36.5 A 130 mOhms 20 V 2.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 894在庫
¥2,503.1
¥1,408.5
¥1,383.6
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 74.7 A 60 mOhms 30 V 3.5 V 315 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,894在庫
カットテープ
¥687.7
¥350.5
¥317.3
¥264.1
リール
¥249.2
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,654在庫
カットテープ
¥612.9
¥308.9
¥279
¥227.6
リール
¥212.6
最低: 1
複数: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape


Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 3,705在庫
¥692.6
¥343.8
¥312.3
¥259.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 329在庫
¥1,250.7
¥671
¥614.6
¥556.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 13.9 A 130 mOhms 30 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 679在庫
カットテープ
¥544.8
¥272.4
¥245.8
¥199.3
¥196
リール
¥181
最低: 1
複数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 13.3 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 393在庫
¥687.7
¥350.5
¥317.3
¥257.5
¥254.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8.7 A 310 mOhms 30 V 3.5 V 61 nC - 55 C + 155 C 31 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 712在庫
¥583
¥292.3
¥264.1
¥225.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 950 V 7.2 A 450 mOhms 30 V 3.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube