第4世代NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM Semiconductor第4世代Nチャンネル・シリコンカーバイド（SiC）パワーMOSFETは、短絡耐性時間の改善によって低on抵抗を実現しています。第4世代SiC MOSFETは、並列接続が容易で駆動が簡単です。MOSFETは、高速スイッチング速度/逆回復、低スイッチング損失、175°Cの最高動作温度が特徴です。ROHM第4世代NチャンネルSSiCパワーMOSFETは、デバイスの省電力に貢献する15Vゲート-ソース電圧に対応しています。