車載グレード・シリコンカーバイド・パワーMOSFET

STMicroelectronics 車載グレード・シリコン・カーバイド・パワーMOSFET は 、STの 高度で革新的な第2/第3世代 SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは 、1ユニット領域あたりのオン抵抗および非常に優れたスイッチング 性能が特徴です。MOSFETは、非常に高い動作温度能力(TJ = 200°C) 、非常に高速で堅牢な真性ボディダイオードが特徴です。

結果: 17
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package 558在庫
¥4,037.9
¥3,232.3
¥2,795.5
¥2,647.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 443在庫
¥4,604.3
¥3,685.8
¥3,187.5
¥3,018
最低: 1
複数: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package 181在庫
600取寄中
¥3,325.3
¥1,969.9
最低: 1
複数: 1
Through Hole Hip247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package 866在庫
カットテープ
¥2,205.8
¥1,642.7
¥1,370.3
¥1,220.8
リール
¥1,139.4
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package 19在庫
1,200予想2026/10/29
カットテープ
¥3,699
¥2,762.2
¥2,390.2
リール
¥2,262.3
最低: 1
複数: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package 3在庫
1,200取寄中
¥3,325.3
¥2,159.3
¥1,910.2
¥1,757.3
最低: 1
複数: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package 43在庫
600取寄中
¥3,147.6
¥1,958.3
¥1,837.1
最低: 1
複数: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package 14在庫
600予想2027/09/03
¥2,323.7
¥1,770.6
¥1,475
¥1,315.5
¥1,227.5
最低: 1
複数: 1
Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
1,200予想2027/08/06
カットテープ
¥5,120.9
¥4,099.3
¥3,544.6
リール
¥3,356.9
最低: 1
複数: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
1,985取寄中
カットテープ
¥4,479.7
¥3,586.1
¥3,101.1
¥2,936.6
リール
¥2,744
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
1,997予想2027/04/16
カットテープ
¥3,049.6
¥1,888.6
¥1,863.6
リール
¥1,720.8
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
998予想2027/06/04
カットテープ
¥3,830.3
¥2,486.5
¥2,481.5
¥2,345.3
リール
¥2,190.9
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
1,200予想2027/04/09
カットテープ
¥2,692.5
¥2,051.3
¥1,709.2
リール
¥1,523.1
最低: 1
複数: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
600予想2027/08/06
カットテープ
¥2,268.9
¥1,729.1
¥1,440.1
リール
¥1,284
¥1,214.2
最低: 1
複数: 1
: 600
SMD/SMT H2PAK-2 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
1,800予想2027/08/20
カットテープ
¥2,247.3
¥1,451.7
¥1,323.8
リール
¥1,202.6
最低: 1
複数: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
599予想2026/12/14
カットテープ
¥2,436.7
¥1,672.6
¥1,473.3
リール
¥1,328.8
最低: 1
複数: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
100取寄中
¥2,272.2
¥1,692.6
¥1,410.2
¥1,257.4
最低: 1
複数: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101