結果: 11
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,590在庫
1,000取寄中
カットテープ
¥6,418.1
¥5,237.1
¥4,627.5
¥4,601
リール
¥4,320.3
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 2,011在庫
カットテープ
¥4,614.3
¥3,187.5
¥3,179.2
¥3,004.7
リール
¥2,803.8
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 245在庫
カットテープ
¥2,958.2
¥2,254
¥1,878.6
¥1,674.3
リール
¥1,563
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,603在庫
カットテープ
¥2,247.3
¥1,372
¥1,345.4
リール
¥1,280.6
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 502在庫
1,000予想2027/05/06
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¥1,558
¥1,064.7
¥877
¥782.3
リール
¥732.5
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,615在庫
カットテープ
¥875.3
¥455.1
¥413.6
¥365.4
リール
¥363.8
最低: 1
複数: 1
最大: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79在庫
1,000予想2026/12/31
カットテープ
¥1,895.2
¥1,340.4
¥1,116.2
¥994.9
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¥930.2
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 39在庫
2,000予想2027/07/08
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¥1,363.7
¥960.1
¥777.3
¥691
リール
¥611.2
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 198在庫
4,000取寄中
カットテープ
¥1,073
¥702.6
¥518.2
¥460.1
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¥406.9
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1,999予想2026/11/19
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¥3,375.2
¥2,521.4
¥2,180.9
¥2,064.6
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¥1,928.4
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000予想2026/12/03
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¥1,186
¥794
¥637.8
¥566.4
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¥501.6
最低: 1
複数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement