UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.

結果: 5
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 構成 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Vgs - ゲート - ソース間破壊電圧 Vgs=0のドレイン - ソース電流 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ 認証 パッケージ化
onsemi JFET 650V/25MOSICJFETG3TO247-3 124在庫
¥4,441.5
¥3,556.2
¥3,074.5
¥2,911.7
最低: 1
複数: 1
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 650V/80MOSICJFETG3TO247-3 846在庫
¥2,008.1
¥1,104.6
¥1,039.8
最低: 1
複数: 1
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3 358在庫
¥6,291.9
¥5,134.2
¥4,536.2
最低: 1
複数: 1
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3 350在庫
¥3,750.5
¥2,328.7
最低: 1
複数: 1
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3 393在庫
¥3,709
¥2,770.5
¥2,395.2
¥2,146
最低: 1
複数: 1
SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube