FDT4N50NZU

Name: onsemi FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 863-FDT4N50NZU
Price: 353 JPY
Availability: InStock

Mouser 番号：

863-FDT4N50NZU

メーカ番号：

FDT4N50NZU

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET UNIFET II 3OHM SOT223

データシート:

FDT4N50NZU データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	500 V
Id - 連続ドレイン電流:	2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	5.5 V
Qg - ゲート電荷:	9.1 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	2 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	FDT4N50NZU
工場パックの数量:	4000
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

FDT4N50NZU データシート (PDF)

PCN

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: チェコ共和国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

FDT4N50NZU UniFET II MOSFET

onsemi FDT4N50NZO UniFET II MOSFETは、高度平面ストリップとDMOS技術に基づいた高電圧MOSFETです。MOSFETは、プレーナMOSFETの中でもON状態抵抗が低く抑えられています。また、優れたスイッチング性能、さらなる高アバランシェ・エネルギー強度を実現しています。内部ゲート-ソースESDダイオードを使用すると、2kV HBM以上のサージストレスに対する耐性がUniFET II MOSFETに生まれます。