QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiCトランジスタ

Qorvo QPD1028およびQPD1028L750W GaN on SiC トランジスタは、1.2GHz~1.4GHzで動作するディスクリート 窒化ガリウム on 炭化ケイ素 HEMT(高電子移動度トランジスタ)です。これらのデバイスは、59dBmの飽和出力電力を実現しており、18dBの大信号ゲインおよび70%のドレイン効率が備わっています。QPD1028およびQPD1028Lトランジスタは、最適な性能のために内部で事前整合されており、連続波とパルス動作の両方をサポートできます。

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 技術
Qorvo GaN FET 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Earl 11在庫
¥367,888.2
最低: 1
複数: 1
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC
Qorvo GaN FET 750W,65V,Pre-matched,1.2-1.4GHz,Flan 非在庫リードタイム 20 週間
¥367,888.2
最低: 18
複数: 18
SMD/SMT NI-780 65 V 19 A - 40 C + 85 C 400 W GaN SiC