結果: 6
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 パッケージ化
onsemi MOSFETモジュール Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
20予想2026/11/24
最低: 1
複数: 1
最大: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 105 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 244 W Tray
onsemi MOSFETモジュール Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
20予想2026/11/24
最低: 1
複数: 1
最大: 2

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 91 A 16 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 272 W Tray
onsemi MOSFETモジュール 15 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, 4-PACK Full Bridge Topology,F1Package
28予想2026/10/13
最低: 1
複数: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 77 A 19 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 198 W Tray
onsemi MOSFETモジュール EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28予想2027/02/16
最低: 1
複数: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 333 W Tray
onsemi MOSFETモジュール EliteSiC, 6 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28予想2027/02/16
最低: 1
複数: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 240 A 9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 500 W Tray
onsemi MOSFETモジュール EliteSiC, 8 m , 1200 V, SiC M3 MOSFET, 2-PACK Half Bridge Topology, F1 Package
28予想2027/02/16
最低: 1
複数: 1
最大: 3

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 145 A 10.9 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V - 40 C + 175 C 382 W Tray