LMG3526R050650VGaN FET

ドライバと保護が統合されたTexas Instrument LMG3526R050650VGaN FETは、スイッチモード電力コンバータを対象としており、設計者が新しい電力密度と効率レベルを達成できるようにします。LMG3526R050は、最大150V/nsのスイッチング速度を可能にするシリコンドライバを集積しています。TI は統合された高精度ゲート バイアスを提供しており、その結果、ディスクリート シリコン ゲートドライバよりも高いスイッチング SOA が得られます。この統合と TIの低インダクタンス パッケージを組み合わせることで、ハード スイッチング電源トポロジで最小限のリンギングとクリーンなスイッチングが実現します。調整可能なゲート駆動強度により、スルー レートを15V/nsから150V/nsまで制御できます。この制御を使用すると、EMI を制御し、スイッチング性能をアクティブに最適化できます。