MOSFETモジュール – Mouser 日本

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NXH040P120MNF1 SiCモジュール

onsemi NXH040P120MNF1 SiCモジュールは、F1モジュールに40MΩ 1200V SiC MOSFETハーフブリッジおよびNTCサーミスタを内蔵しています。このモジュールの推奨ゲート電圧は18V〜20Vです。NXH040P120MNF1は、さらなる高電圧でのRDS(ON)が改善されており、低熱抵抗が特徴です。

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

結果: 2

適用されたフィルタ:

パッケージ/ケース

トランジスタ極性

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Pd - 電力損失

すべてリセット

検索結果内を検索する

在庫

通常は在庫あり

取り扱い中

新製品

RoHS対応品

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

選択	画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	RoHS	ECADモデル	技術	取り付け様式	パッケージ/ケース	トランジスタ極性	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	シリーズ	パッケージ化
	MOSFETモジュール PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM NXH040P120MNF1PG onsemi 1: ¥13,734.8 56工場在庫あり	メーカ部品番号 NXH040P120MNF1PG Mouser 部品番号 863-NXH040P120MNF1PG	onsemi	MOSFETモジュール PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM onsemi nxh040p120mnf1 module についての詳細を表示	データシート	56工場在庫あり納期・詳細を要確認	¥13,734.8 ¥10,882.9	最低： 1 複数： 1			SiC	Press Fit	Module	N-Channel	1.2 kV	30 A	56 mOhms	- 15 V, + 25 V	1.8 V	- 40 C	+ 150 C	113 W	NXH040P120MNF1	Tray
	MOSFETモジュール PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM NXH040P120MNF1PTG onsemi 28: ¥10,882.9 84工場在庫あり	メーカ部品番号 NXH040P120MNF1PTG Mouser 部品番号 863-XH040P120MNF1PTG	onsemi	MOSFETモジュール PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM onsemi nxh040p120mnf1 module についての詳細を表示	データシート	84工場在庫あり納期・詳細を要確認	¥10,882.9	最低： 28 複数： 28			SiC	Press Fit						- 15 V, + 25 V		- 40 C	+ 150 C		NXH040P120MNF1	Tray

NXH040P120MNF1 SiCモジュール

適用されたフィルタ:

カスタマーサービスオフィス

企業名

リソース

サポート

共有する

NXH040P120MNF1 SiCモジュール

適用されたフィルタ: