RBQxxBGEショットキーバリアダイオード

ROHM Semiconductor RBQxxBGEショットキーバリアダイオードは、シリコン・エピタキシャル・プレーナ構造および45Vまたは65V繰り返しピーク逆電圧が特徴です。RBQxxBGEショットキーバリアダイオードは、信頼性が高く、IRが低く抑えられており、カソード共通デュアルタイプになっています。ROHM RBQxxBGEダイオードは、スイッチング電源アプリケーションを対象に設計されています。